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STC03DE220HV:意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關

發(fā)布時間:2008-05-21

產(chǎn)品特性:

  • 額定擊穿電壓2200V,8.9mm的爬電距離意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關STC03DE220HV
  • 頻率高達150kHz,最大額定電流3A
  • 集電極到源極僅0.33 歐姆的等效導通電阻
  • 柵驅動設計簡易

應用范圍:

  • 商用電表
  • 感應電機逆變器
  • 電焊設備
  • 不間斷電源(UPS)

意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開關雙極晶體管)功率開關,新產(chǎn)品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產(chǎn)品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉換器中,新產(chǎn)品讓設計工程師采用單功率開關的反激式拓撲。使用一個通用的硬件平臺,再配合適合的控制器如L6565,ST完整的ESBT產(chǎn)品讓設計工程師能夠開發(fā)最大功率達到250W的準諧振轉換器。意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關STC03DE220HV結構

高效開關頻率高達150kHz,最大額定電流3A,STC03DE220HV可用于各種輔助開關電源,包括商用電表、感應電機逆變器、電焊設備和不間斷電源(UPS)。強化的TO247-4L封裝是新產(chǎn)品的另一個亮點,8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。

集通態(tài)損耗低、來自傳統(tǒng)MOSFET的開關頻率高、柵驅動設計簡易等三大優(yōu)點于一身,STC03DE220HV利用ESBT技術優(yōu)化了標準雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極,STC03DE220HV達到了0.33 歐姆的等效導通電阻,同時還實現(xiàn)了150kHz 的最大開關頻率,如此高的工作頻率允許設計使用尺寸更小的濾波器。此外,整個裸片尺寸小于同級別電壓的高壓MOSFET*,產(chǎn)品本身就實現(xiàn)了節(jié)省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區(qū)(SOA)還有助于簡化電源設計,確保電源在各種環(huán)境中都有可靠的性能表現(xiàn)。

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