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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應用
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實現(xiàn)不間斷能源的智能備用電池第五部分：輔助電源系統(tǒng)
對于采用先進開放計算項目(OCP)開放機架第3版(ORV3)架構(gòu)的數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡、服務器和存儲設備，電源單元(PSU)和BBU是支持它們正常運行的命脈。中央電源轉(zhuǎn)換器負責輸送所需的大部分電能。輔助電源組件則扮演著幕后的無名英雄，為了維護包括PSU和BBU在內(nèi)的整個電源供應生態(tài)系統(tǒng)的整體穩(wěn)健性、可靠性和...
2024-10-26
智能備用電池 輔助電源系統(tǒng)
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單結(jié)晶體管符號和結(jié)構(gòu)
請注意，單結(jié)晶體管的符號看起來與結(jié)型場效應晶體管或 JFET 的符號非常相似，只是它有一個代表發(fā)射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應混淆。
2024-10-24
單結(jié)晶體管
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【“源”察秋毫系列】 Keithley在碳納米管森林涂層纖維復合材料的應用
碳納米管森林由許多垂直生長的碳納米管組成，看起來像一個“森林”，因此得名。每個碳納米管（CNT）是由單層或多層石墨烯片卷曲形成的圓筒結(jié)構(gòu)，其直徑在納米級別，長度可以達到數(shù)微米甚至數(shù)毫米。碳納米管森林中的這些納米管密集排列，垂直生長于基底上。
2024-10-23
Keithley 納米 涂層 纖維 復合材料 納米管
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器...
2024-10-23
Python 雙脈沖測試
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實現(xiàn)不間斷能源的智能備用電池第四部分：BBU架的操作
本文詳細介紹了ADI公司用于開放計算項目開放機架第3版(OCP ORV3)備用電池單元(BBU)架的硬件和軟件。其主要功能是建立BBU模塊之間的通信，并通過為此類應用精心打造的圖形用戶界面(GUI)向用戶呈現(xiàn)可讀數(shù)據(jù)和信息。
2024-10-23
智能備用電池 BBU架
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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：晶體管時序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設計問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級設計中面臨的復雜難題，重點關(guān)注功率晶體管和自舉電容。功率晶體管具有最小和最大占空比，如果違反限值，將會導致SMPS性能下降。此外，如果忽略自舉電容，晶體管將...
2024-10-20
開關(guān)模式電源 晶體管 電容
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【泰克先進半導體實驗室】 遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠山半導體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實驗：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數(shù)消費電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實現(xiàn)長距離傳輸，并降低電壓以實現(xiàn)安全配電。如果沒有變壓器，配電網(wǎng)絡中已經(jīng)很嚴重的電力浪費將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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