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IR推出新一代高傳導(dǎo)和低開關(guān)損耗600V溝道IGBT
IR推出新一代高傳導(dǎo)和低開關(guān)損耗600V溝道IGBT。
2010-06-24
IR 高傳導(dǎo) 低開關(guān)損耗 IGBT
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IRC推出維持高穩(wěn)定性的片狀電阻LRF3W-MIL系列
IRC推出維持高穩(wěn)定性的片狀電阻LRF3W-MIL系列。
2010-06-24
IRC 高穩(wěn)定性 片狀電阻 LRF3W-MIL
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英特爾覬覦中國(guó)三網(wǎng)融合機(jī)會(huì) 積極投入資源
盡管廣電總局和工信部?jī)纱髧?guó)家部委針對(duì)“三網(wǎng)融合”的具體規(guī)則仍未完全出臺(tái)，但是芯片巨頭英特爾中國(guó)大區(qū)總裁楊敘還是發(fā)現(xiàn)了其中的巨大產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)。
2010-06-24
三網(wǎng)融合 英特爾 網(wǎng)絡(luò)
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“物聯(lián)網(wǎng)”將成為浦東千億級(jí)產(chǎn)業(yè)
在外面，打開手機(jī)，開啟家中的空調(diào)，回家后，即可享受涼爽的空間；交通路況、車流情況可實(shí)時(shí)傳遞……這樣由“物聯(lián)網(wǎng)”串起的生活場(chǎng)景有望實(shí)實(shí)在在出現(xiàn)在浦東居民家庭中。
2010-06-24
物聯(lián)網(wǎng) 浦東 GDP
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耦合/隔離技術(shù)解決電子干擾新挑戰(zhàn)
在電子電路系統(tǒng)中，不可避免地存在各種各樣的干擾信號(hào)，若電路的抗干擾能力差將導(dǎo)致測(cè)量、控制準(zhǔn)確性的降低，甚至產(chǎn)生誤動(dòng)作，從而帶來破壞性的后果。事實(shí)證明，硬件上采用耦合/隔離技術(shù)是一種簡(jiǎn)便且行之有效的方法。
2010-06-24
耦合 隔離 干擾 濾波 光耦
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2010中國(guó)國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)大會(huì)6月22日-23日首次登陸上海
由上海市通信管理局和中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)上海市分會(huì)共同主辦的“2010中國(guó)國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)大會(huì)”將于6月22日-23日在上海環(huán)球金融中心-會(huì)議中心閃亮登場(chǎng)。
2010-06-23
物聯(lián)網(wǎng) 大會(huì) 上海
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歐洲研究項(xiàng)目瞄準(zhǔn)能效更高的綠色電子產(chǎn)品
一項(xiàng)全新政府投資研究項(xiàng)目的合作方公布多國(guó)/多領(lǐng)域研究計(jì)劃“END — 節(jié)能意識(shí)設(shè)計(jì)的模型、解決方案、方法和工具”的細(xì)節(jié)。這項(xiàng)為期三年的歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(huì)（ENIAC）計(jì)劃的目標(biāo)是提高歐洲半導(dǎo)體和電子設(shè)備廠商在開發(fā)能效領(lǐng)先于業(yè)界的新產(chǎn)品和新技術(shù)方面的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2010-06-23
END 節(jié)能 綠色 歐洲 半導(dǎo)體 電子設(shè)備
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner
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安富利電子元件亞洲區(qū)榮獲泰科電子“年度區(qū)域分銷商”大獎(jiǎng)
全球工程電子組件、網(wǎng)絡(luò)解決方案、特種產(chǎn)品和海底通訊系統(tǒng)供應(yīng)商泰科電子公司(Tyco Electronics)宣布授予安富利電子元件亞洲區(qū)(Avnet Electronics Marketing Asia) “2009年度區(qū)域分銷商”大獎(jiǎng)。
2010-06-21
安富利電子元件 泰科電子 大獎(jiǎng)
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