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腐蝕傳感器技術(shù)革新 創(chuàng)新產(chǎn)品市場適應(yīng)力更強
如今各行各業(yè)中傳感器應(yīng)用已經(jīng)越來越多，各種技術(shù)問題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問題一直是行業(yè)發(fā)展的阻礙，此次英國研發(fā)抗腐蝕傳感器的技術(shù)革新成功，正彌補了腐蝕傳感器壽命短的問題，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將擁有更強的市場適應(yīng)能力，引領(lǐng)未來市場導(dǎo)向。
2012-02-14
腐蝕 傳感器
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電路設(shè)計中的抗干擾措施
單片機測控系統(tǒng)的電路較復(fù)雜，產(chǎn)生干擾的原因很多。下面幾種常用的抗干擾措施。
2012-02-14
電路設(shè)計 抗干擾 電源 大功率器件
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基于磁敏角度技術(shù)的拉線式位移傳感器的設(shè)計分析
傳統(tǒng)的拉線式位移傳感器采用電位器式位移傳感器，它通過電位器元件將機械位移轉(zhuǎn)換成與之成線性或任意函數(shù)關(guān)系的電阻或電壓輸出。普通直線電位器和圓形電位器都可分別用作直線位移和角位移傳感器。
2012-02-14
磁敏角度 拉線式 傳感器
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電路設(shè)計中三極管和mos管的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。
2012-02-14
電路設(shè)計 三極管 mos管 雙極晶體管
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基于加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計
隨著現(xiàn)代軍事通信系統(tǒng)中跳頻、擴頻等技術(shù)的應(yīng)用，天線作為通信設(shè)備的前端部件，對通信質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。然而傳統(tǒng)的天線形式和功能在一定程度上不能跟上通信系統(tǒng)小型化的發(fā)展需求，尋求天線的全向性、小型化、寬帶化、共用化成為天線研究中一個重要課題。
2012-02-14
加載技術(shù) 天線 帶寬 RLC
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PCB焊接工藝使用氮氣的理由
焊接的一個行進中的問題是在回流焊接爐中使用氮氣的好處。在這個主題上我遇到的問題至少每周一次。這個問題不是什么新問題。十年前，所訂購的回流焊接爐至少一半規(guī)定有氮氣容器。最近與回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個比例保持還是一樣的，盡管使用氮氣的關(guān)鍵理由現(xiàn)在再不是什么站得住腳的理由...
2012-02-14
PCB 焊接工藝 氮氣 氟里昂
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第五講：專家解答電路保護設(shè)計的常見問題
本文整理工程師在電路保護設(shè)計中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險絲、防雷器件和ESD保護器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護設(shè)計專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護器件，設(shè)計高可靠性的電路保護解決方案。
2012-02-13
電路保護 保險絲 熔斷器 防雷 ESD
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機效率，同時獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機軟起動器的出現(xiàn)，彌補了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足，很好地降低了電機的起動電流，降低了配電容量，延長了電機及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負載調(diào)整，易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設(shè)計。
2012-02-13
晶閘管 電機 軟起動 過壓 過流
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