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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或...
2013-03-29
飛兆半導(dǎo)體 IGBT 碳化硅 雙極結(jié)型晶體管
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IDT推出具有頻率裕量設(shè)定功能的低抖動MEMS振蕩器
IDT今日推出業(yè)界首款差異化MEMS振蕩器，具有100飛秒 (fs) 典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率顯著降低萬兆以太網(wǎng) (10GbE) 交換器、路由器和其他相關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的誤碼率。
2013-03-28
IDT MEMS 振蕩器
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第四講：PPTC的原理、選型及設(shè)計實例分析
由于保險絲僅限一次性使用，而且誤差較大，因此PPTC的出現(xiàn)為體積小、質(zhì)量輕的無線便攜產(chǎn)品的電路保護提供了良好的解決方案。本期大講臺主講PPTC的選型以及在設(shè)計中的應(yīng)用實例，以期幫助工程師在設(shè)計中更好的選用PPTC。
2013-03-27
PPTC 自恢復(fù)保險絲 選型
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高性能、高度集成、軟開關(guān)降壓穩(wěn)壓器平臺
Picor引入一個高性能、高度集成、軟開關(guān)降壓穩(wěn)壓器平臺, 可高頻工作,大幅度地降低開關(guān)損耗,提高效率。PI33xx采用零電壓開關(guān)（ZVS）拓撲允許在更高頻率和更高輸入電壓進行操作，而且不會犧牲效率。
2013-03-27
高性能 高度集成 軟開關(guān)降壓穩(wěn)壓器
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四步輕松解決視頻監(jiān)控干擾問題
視頻監(jiān)控系統(tǒng)最常見的問題就是干擾，表現(xiàn)也是多種多樣，要解決這些干擾，首先要找出干擾源，然后才能進行干擾的排除，本文講述四大步驟，輕松解決視頻監(jiān)控的干擾問題。
2013-03-27
視頻監(jiān)控 干擾
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矩陣式變換器的電磁干擾設(shè)計
矩陣式變換器是AC/AC直接變換，電網(wǎng)和負載會相互直接影響，電網(wǎng)的波動會直接對負載（如異步電機）產(chǎn)生干擾。這些干擾源通過傳導(dǎo)和輻射等方式對輸出和輸入電流、電壓產(chǎn)生影響，必須想辦法將其抑制或減少在可以接受的范圍之內(nèi)。
2013-03-27
矩陣式變換器 電磁干擾
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適當(dāng)?shù)挠∷⒕€路板布局解決電磁干擾
解決板級輻射電磁干擾問題終究比解決設(shè)備級輻射電磁干擾問題付出的代價小。因此，在線路板布局階段花些時間解決電磁干擾問題是值得的。
2013-03-27
印刷線路板布局 電磁干擾
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富士通推出小型化1 Mbit和2 Mbit FRAM產(chǎn)品
富士通近日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM，適用于智能電表、工業(yè)設(shè)備和醫(yī)療器械。
2013-03-26
富士通 FRAM
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淺析開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾問題
開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類來分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源，或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑。
2013-03-26
開關(guān)電源 電磁干擾
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