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Torex新款0.6μA 超低消耗電流、超小型電壓調(diào)整器
Torex新推出的XC6504系列產(chǎn)品因為能在0.6μA的超低消耗電流下工作、即使在輸出電流為1μA(輕負載)時,也可達到高精度的輸出電壓,所以最適用于不需過多輸出電流的應(yīng)用目的。內(nèi)部由基準電壓源,誤差放大器,驅(qū)動晶體管,過電流保護電路,相位補償電路等構(gòu)成。
2012-12-27
低消耗電流 電壓調(diào)整器
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「CRTS CHINA 2013國際軌道交通展」延期通知
「CRTS CHINA2013國際軌道交通展」(第九屆中國國際軌道交通技術(shù)展覽會)將于2013年5月5日至7日在上海世博展覽館盛大舉行。作為引領(lǐng)中國軌道交通行業(yè)的國際行業(yè)盛會,為全球展示鐵路與城市軌道交通領(lǐng)域的最新產(chǎn)品、頂尖技術(shù)和解決方案的同時,也為行業(yè)的技術(shù)合作與貿(mào)易、信息交流搭建最佳的商貿(mào)平臺。
2012-12-26
CRTS CHINA 2013國際軌道交通展
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究竟有何不同?DS323x系列實時時鐘性能比較
本文通過介紹Maxim的幾款實時時鐘(RTC)芯片,列出了DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35之間的性能差異,以幫助讀者找到最合適的解決方案。重點討論了DS2131M內(nèi)置微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振電路的時鐘方案,用于替換晶振方案。
2012-12-26
實時時鐘 MEMS Maxim
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AMOLED在中小顯示的滲透率將在2015年翻番
隨著手機廠商增加AMOLED的應(yīng)用,在原本一直由LCD技術(shù)主導(dǎo)的中小顯示市場(9寸及以下),AMOLED滲透率已逐步攀高。自從2010年三星發(fā)布首個AMOLED智能手機Galaxy S開始,AMOLED推動了OLED在中小顯示市場的滲透率。
2012-12-26
手機 顯示屏
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第六屆成都國際照明及LED展恭祝元旦快樂
第六屆成都國際照明及LED展由成都德納展覽有限公司、上海現(xiàn)代國際展覽有限公司及上海新格雷展覽服務(wù)有限公司聯(lián)合承辦,得到了國家半導(dǎo)體照明應(yīng)用系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心、國家半導(dǎo)體照明工程上海產(chǎn)業(yè)化基地及上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心的大力支持。將于2013年3月13日至16日在成都新會展中心舉辦...
2012-12-25
展會合作
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首款替代功率MOSFET的增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管
氮化鎵目前被推薦為極具潛力的材料,可以應(yīng)用于廣闊的領(lǐng)域,包括無線電源傳送、射頻直流-直流波峰追蹤及高能量脈沖激光等應(yīng)用。近日,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基、增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。
2012-12-25
MOSFET 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
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十家公司同軸電纜性能大比拼,測試系統(tǒng)電纜該選誰?
對于構(gòu)建射頻/微波測試系統(tǒng)的大多數(shù)工程師還是愿意選擇定購?fù)S電纜組件,提供這類組件的供應(yīng)商有很多,本文選取了10家電纜供應(yīng)商,并對其系列產(chǎn)品的特性做了詳細比較,為工程師在選擇電纜時提供參考。
2012-12-25
射頻/微波 同軸電纜
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村田實現(xiàn)高耐波紋特性、高效獨石陶瓷電容開始量產(chǎn)
近年來,隨著人們對于環(huán)保和節(jié)約能源意識的提高,在汽車市場上,各家企業(yè)都在大力展開推進混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 的實用化。由于對于使用于汽車的電子元件耐熱性的要求,所以能夠耐高溫的電容器是不可少的。因此,村田通過開發(fā)新的陶瓷材料,完成了具有高耐應(yīng)力 (自熱較少) 的獨石陶瓷...
2012-12-24
陶瓷電容器 汽車
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CMOS圖像傳感器市場極具增長潛力,并向多樣化發(fā)展
自金融危機以來,CMOS圖像傳感器(CIS)市場一直處于嚴峻狀態(tài),不過這種情況最近似乎已經(jīng)結(jié)束。雖然目前拉動CIS市場增長的主要還是手機和平板電腦,但是。在歐洲、日本和美國,要求汽車必須配備使用圖像的駕駛輔助功能的相關(guān)規(guī)定即將出臺。無論是業(yè)務(wù)方面還是技術(shù)方面,該市場都出現(xiàn)了很多令人頗感...
2012-12-23
COMS 圖像傳感器
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 集成化柵極驅(qū)動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
- 多通道同步驅(qū)動技術(shù)中的死區(qū)時間納米級調(diào)控是如何具體實現(xiàn)的?
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