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資源共享:如何用示波器進行射頻信號測量?

發(fā)布時間:2015-06-25 責(zé)任編輯:sherry

【導(dǎo)讀】除了數(shù)字工程師要用到射頻儀器外,有些射頻工程師也會用到示波器做射頻信號測試,但是不清楚精度如何,以及和頻譜儀等傳統(tǒng)儀器的區(qū)別,希望能對這方面做些講解。為此,小編對示波器做射頻信號測試的應(yīng)用案例和注意事項做了一些整理,希望能給大家提供一些幫助。
 
時域測量的直觀性
 
要進行射頻信號的時域測量的一個很大原因在于其直觀性。比如在下圖中的例子中分別顯示了4個不同形狀的雷達脈沖信號,信號的載波頻率和脈沖寬度差異不大,如果只在頻域進行分析,很難推斷出信號的時域形狀。由于這4種時域脈沖的不同形狀對于最終的卷積處理算法和系統(tǒng)性能至關(guān)重要,所以就需要在時域?qū)π盘柕拿}沖參數(shù)進行精確的測量,以保證滿足系統(tǒng)設(shè)計的要求。
時域測量的直觀性
更高分析帶寬的要求
    
在傳統(tǒng)的射頻微波測試中,也會使用一些帶寬不太高(<1GHz)的示波器進行時域參數(shù)的測試,比如用檢波器檢出射頻信號包絡(luò)后再進行參數(shù)測試,或者對信號下變頻后再進行采集等。此時由于射頻信號已經(jīng)過濾掉,或者信號已經(jīng)變換到中頻,所以對測量要使用的示波器帶寬要求不高。
 
但是隨著通信技術(shù)的發(fā)展,信號的調(diào)制帶寬越來越寬。比如為了兼顧功率和距離分辨率,現(xiàn)代的雷達會在脈沖內(nèi)部采用頻率或者相位調(diào)制,典型的SAR成像雷達的調(diào)制帶寬可能會達到2GHz以上。在衛(wèi)星通信中,為了小型化和提高傳輸速率,也會避開擁擠的C波段和Ku波段,采用頻譜效率和可用帶寬更高的Ka波段,實際可用的調(diào)制帶寬可達到3GHz以上甚至更高。
 
在這么高的傳輸帶寬下,傳統(tǒng)的檢波或下變頻的測量手段會遇到很大的挑戰(zhàn)。由于很難從市面上尋找到一個帶寬可達到2GHz以上同時幅頻/相頻特性又非常理想的檢波器或下變頻器,所以會造成測試結(jié)果的嚴(yán)重失真。
 
同時,如果需要對雷達脈沖或者衛(wèi)星通信信號的內(nèi)部調(diào)制信息進行解調(diào),也需要非常高的實時帶寬。傳統(tǒng)的頻譜儀測量精度和頻率范圍很高,但實時分析帶寬目前還達不到GHz以上。因此,如果要進行GHz以上寬帶信號的分析解調(diào),目前最常用的手段就是借助于寬帶示波器或者高速的數(shù)采系統(tǒng)。
 
要實現(xiàn)射頻信號的直接測量,首先得益于由于材料和芯片技術(shù)發(fā)展帶來的實時示波器性能的提升。
 
傳統(tǒng)的示波器由于帶寬較低,無法直接捕獲高頻的射頻信號,所以在射頻微波領(lǐng)域的應(yīng)用僅限于中頻或控制信號的測試,但隨著芯片、材料和封裝技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)代實時示波器的的帶寬、采樣率、存儲深度以及底噪聲、抖動等性能指標(biāo)都有了顯著的提升。
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材料技術(shù)革新對示波器帶寬的提升
 
以材料技術(shù)為例,磷化銦(InP)材料是這些年國際和國內(nèi)比較熱門的材料。相對于傳統(tǒng)的SiGe材料或GaAs材料來說,磷化銦(InP)材料有更好的電性能,可以提供更高的飽和電子速度,更低的表面復(fù)合速度以及更高的電絕緣強度。在采用新型材料的過程中,還需要解決一系列的工藝問題。比如InP材料的高頻特性非常好,但如果采用傳統(tǒng)的鋁基底時會存在熱膨脹系數(shù)不一致以及散熱效率的問題。氮化鋁(AIN)是一種新型的陶瓷基底材料,其熱性能和InP更接近且散熱特性更好,但是AlN材料成本高且硬度大,需要采用激光刻蝕加工。
 
借助于新材料和新技術(shù)的應(yīng)用,現(xiàn)代實時示波器的硬件帶寬已經(jīng)可以達到60GHz以上,同時由于磷化銦(InP)材料的優(yōu)異特性,使得示波器的頻響更加平坦、底噪聲更低,同時其較低的功率損耗給產(chǎn)品帶來更高的可靠性。
 
磷化銦材料除了提供優(yōu)異的高帶寬性能外,其反向擊穿電壓更高,采用磷化銦材料設(shè)計的示波器可用輸入量程可達8V,相當(dāng)于20dBm以上,大大提高了實用性和可靠性。
 
ADC采樣技術(shù)對示波器采樣率的提升
 
要保證高的實時的帶寬,根據(jù)Nyqist定律,放大器后面ADC采樣的速率至少要達到帶寬的2倍以上(工程實現(xiàn)上會保證2.5倍以上)。目前市面上根本沒有這么高采樣率的單芯片的ADC,因此高帶寬的實時示波器通常會采用ADC的拼接技術(shù)。
 
典型的ADC拼接有兩種方式,一種是片內(nèi)拼接,另一種是片外拼接。片內(nèi)拼接是把多個ADC的內(nèi)核集成在一個芯片內(nèi)部,典型的如下圖所示的Keysight公司S系列示波器里使用的40G/s采樣率的10bit ADC芯片,在業(yè)內(nèi)第一次實現(xiàn)8GHz帶寬范圍內(nèi)10bit的分辨率。片內(nèi)拼接的優(yōu)點是各路之間的一致性和時延控制可以做地非常好,但是對于集成度和工藝的挑戰(zhàn)非常大。
ADC采樣技術(shù)對示波器采樣率的提升
 所謂片外拼接,就是在PCB板上做多片ADC芯片的拼接。典型的采用片外拼接的例子是Keysight公司的Z系列示波器,其采用8片20G/s采樣率的ADC拼接實現(xiàn)了160G/s的采樣率,保證了高達63GHz的硬件帶寬。
 
片外拼接要求各芯片間偏置和增益的一致性非常好,同時對PCB上信號和采樣時鐘的時延要精確控制。所以Z系列示波器的前端芯片里采用了先采樣保持再進行信號分配和模數(shù)轉(zhuǎn)換的技術(shù),大大提高了對于PCB走線誤差和抖動的裕量。
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