本文將說明650伏特（V）IGBT3、650V IGBT4及650V高速IGBTHS3 IGBT三者應用在功率模組上的差異。結果顯示，依據(jù)裝置設計，650V HS3 IGBT將能提供最理想的效能，用做高效率的切換開關。

 

對阻斷電壓介于600~1，200V的現(xiàn)代IGBT而言，溝槽場截止（Trench-Field-Stop）技術是最常見的概念。這項技術一方面可讓裝置執(zhí)行低導通電壓及軟切換，另一方面可降低切換損耗并提供高頻率應用，類似金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）的切換效能。

 

 

搭載這項技術的元件效能主要由晶格尺寸、晶片厚度及摻雜分布等設計參數(shù)控制。設計人員透過調(diào)整這些參數(shù)，便能讓元件在漂移區(qū)的高載子密度增加。此類元件提供低VCE（sat），降低靜態(tài)損耗;于關斷期間，高載子密度會減慢元件清除速度，增加動態(tài)損耗。因此，IGBT除了可用于太陽能變頻器或升壓器之類需要低動態(tài)損耗元件的高頻率應用，也適用在需要低靜態(tài)損耗的低頻率應用。

 

 

測量時使用50安培（A）額定集極電流的650V IGBT3、650V IGBT4及650V HS3 IGBT，透過測量切換損耗來決定晶片的電子效能。測量時，將每個晶片整合在具有相同電路及17奈亨（nH）雜散電感的EasyPACK 2B功率模組。由于導通損耗EON主要受使用的飛輪二極體影響，所有晶片在運作時皆使用額定電流IF=30A的650V射極控制二極體。

 

除非另行指定，所有測量均在實驗室中依下列條件進行：采用整合式電流探針且雜散電感為L=25nH;直流連結電壓設為VDC=400V，符合一般應用電壓，晶片以IC=50A的額定集極電流運作;IGBT驅動使用閘射極電壓VGE=±15V。所有測量均在Tvj=25℃下執(zhí)行。

 

晶片的切換運作皆在上述設定下測量，從開通及關斷波形中擷取出對應的能源和特性切換參數(shù)。

圖1顯示HS3 IGBT、IGBT3及IGBT4在相同切換參數(shù)下的切換損耗。于開通及關斷時分別達到di/dt=1.5千安培（kA）/微秒（s）和dv/dt=4.5千伏特（kV）/s的條件設定RG。HS3 IGBT具有最低的切換損耗EON及EOFF，且加總的Etotal不及IGBT3的一半。圖1中插圖顯示HS3 IGBT的EON和di/dt與RG的關系，RG升高時，EON升高，而di/dt降低;尤其在RG1kA/s，而較高的RG將使di/dt低于0.5kA/s。

圖1針對HS3 IGBT、IGBT3和IGBT4，開通時在相同的di/dt下，關斷時在相同的dv/dt下，EON、EOFF和Etotal的切換能量比較。上方插圖為HS3 IGBT的EON和di/dt與RG的關聯(lián)。

 

HS3具有低關閉損耗，表示其切換效能優(yōu)異。因此，HS3 IGBT最適合高頻率應用，其藉由權衡EOFF和VCE（sat），可提供低動態(tài)損耗。由于HS3 IGBT使用高閘極電阻，使其具有高導通損耗，同時帶來極低的di/dt。為補償此特性，必須大幅降低導通閘極電阻，其中一種可行的實作方式是使用較為精密的閘極驅動設計，讓HS3 IGBT可用做非常高效率的切換開關。

 

前文顯示HS3 IGBT在高頻率應用上大幅超越IGBT3及IGBT4，接下來要測量的是HS3 IGBT在操作條件下的效能。在一般的太陽能變頻器操作條件下，HS3 IGBT大部分將以低于額定晶片電流的集極電流運作;此外，直流連結電壓可能會隨廣泛的電壓范圍變化。因此，以下將分析HS3 IGBT在150~450V的直流連結電壓范圍，以及集極電流達到額定晶片電流下的切換損耗。

 

測量時，閘極驅動電路使用RG=15。圖2顯示HS3 IGBT切換損耗與直流連結電壓的關聯(lián)，當VDC較低時EOFF也較低，且會隨著VDC提高呈線性增加，而較高的集極電流則會提高關斷損耗;相較之下，可發(fā)現(xiàn)EON的提高與VDC和IC不成比例，在IC=10A時，EON相對于VDC的斜率幾乎為恒定;在IC=30和50A時，可發(fā)現(xiàn)VDC300V時的斜率變大。在插圖中，非等比例的提高也同樣發(fā)生在Etotal。

圖2HS3 IGBT切換能量EON和EOFF與直流連結電壓在IC = 10、30和50A的關系。上方插圖為HS3 IGBT的Etotal與直流連結電壓IC = 10、30和50A的關系。

 

這些測量顯示，相較于導通損耗，HS3 IGBT的關斷損耗對裝置效能的影響極為輕微，當VDC300V，IC30A時，導通損耗非等比例的提高，可在低集極電流下得到最高效率;較大的VDC和IC會提高導通損耗，與di/dt降低有所關聯(lián)。此效應為HS3 IGBT的特性，且和裝置設計有關。要補償此效應的方法之一，就是降低RG，進而降低軟化度（Softness）。

 

使用高切換速度的裝置時，伴隨應用而來的需求之一，就是必須降低設定中的雜散電感。因此，模組及設定兩者都必須提供低電感，以避免寄生效應。與雜散電感緊密相關的兩個常見效應包括集射極的過電壓峰值VPeak，以及關斷和開通期間集射極電壓下降導致的切換損耗降低。

 

圖3顯示在相同的切換參數(shù)，VDC=400V，di/dt=1.5kA/s和dv/dt=7.2kV/s，及VDC=300V，di/dt=1.6kA/s和dv/dt=6.0kV/s下，HS3 IGBT的切換損耗和過電壓峰值相對于設定的雜散電感。提高L時，關斷能量會稍微提高，而開通能量則會大幅降低，因此，提高L將會降低總切換能量，這個一般性趨勢與直流連結電壓無關;另一方面，較高的L將使VPeak提高，因此使用的直流連結電壓將受到限制。對策之一就是提高RG以降低切換速度，但這樣卻會提高切換損耗。

圖3HS3 IGBT切換能量EON和EOFF及VPeak與VDC = 300和400V雜散電感的關系。上方插圖為HS3 IGBT的Etotal與雜散電感VDC = 300和400V的關系。

 

提高設定的雜散電感可降低IGBT的Etotal，因為降低EON的影響遠高于提高EOFF。由設定或二極體急變的諧振頻率所導致的振蕩等寄生效應，將產(chǎn)生電磁干擾，這也必須在應用中加以考量。

 

 

為分析不同切換頻率的裝置效能，使用IPOSIM模擬變頻器效能。為了能夠進行比較，圖1所示的HS3 IGBT和IGBT3的動態(tài)損耗也考量在內(nèi)。在模擬中，計算出輸出功率4千伏安（kVA）的單相H型電橋的輸出電流，并考量以下的操作條件：輸出電流IOUT設為17.4ARMS，功率因子使用1.0;此外，調(diào)變指數(shù)為0.8，直流連結電壓為400V。這兩款裝置使用相同的熱狀況，將散熱片溫度固定在80℃。

 

圖4顯示H橋變頻器在上述操作條件下模擬的半導體功率損耗PLosses。從H橋變頻器的分析顯示，IGBT3的靜態(tài)損耗只有HS3 IGBT靜態(tài)損耗的70%;提高切換頻率f時，動態(tài)損耗變得很明顯，在f=7.5kHz時，HS3 IGBT的整體損耗等于IGBT3的整體損耗，如圖4星號部分顯示;當進一步提高切換頻率時，此效應更為顯著，而且可清楚發(fā)現(xiàn)HS3 IGBT的優(yōu)點在高切換頻率下更為明顯。

圖4左側：HS3 IGBT和IGBT3在H橋變頻器拓撲的模擬半導體功率損耗與切換頻率的關系。模擬的功率損耗為H橋變頻器的功率損耗，而非單一晶片;右側：HS3 IGBT和IGBT3最高可達到的輸出電流與切換頻率的關系。

 

圖4右側顯示最高可達到的輸出電流，計算時使用了上述的操作條件，其中IOUT不是固定值，會受裝置最高接面溫度限制;當提高頻率時，IOUT隨之下降，在低切換頻率時，IGBT3的最高輸出電流高于HS3 IGBT;在f？7.5kHz時，HS3 IGBT的輸出電流高于IGBT3的輸出電流。HS3 IGBT和IGBT3兩者IOUT的差異，在較高的切換頻率下更為顯著。

 

 

本文提出HS3 IGBT、IGBT3和IGBT4的比較，當中顯示HS3 IGBT的切換損耗少了兩倍，在高頻率應用的效能上大幅超越IGBT3及IGBT4。為了能善加發(fā)揮HS3 IGBT的切換效能，需要有針對應用最佳化的操作模式。因此，必須仔細考量操作電流和閘極電阻，針對后者，其中一種可能的方式就是使用更為精細的閘極驅動設計。

 

HS3 IGBT是經(jīng)濟實惠的高效率切換開關，適合用在太陽能變頻器或不斷電系統(tǒng)（UPS）之類的高頻率硬切換應用。模擬的結果也支持這些發(fā)現(xiàn)，同時顯示HS3 IGBT適合在操作切換頻率超過7.5kHz的應用中，當做最新型的切換開關使用。