鰭式場(chǎng)效晶體管的出現(xiàn)對(duì)集成電路物理設(shè)計(jì)及可測(cè)性設(shè)計(jì)流程具有重大影響。鰭式場(chǎng)效晶體管的引進(jìn)意味著在集成電路設(shè)計(jì)制程中互補(bǔ)金屬氧化物(CMOS)晶體管必須被建模成三維（3D）的器件，這就包含了各種復(fù)雜性和不確定性。加州大學(xué)伯克利分校器件組的BSIM集團(tuán)開發(fā)出了一個(gè)模型，被稱作BSIM-CMG (common multi-gate)模型，來(lái)代表存在鰭式場(chǎng)效晶體管的電阻和電容。晶圓代工廠竭力提供精準(zhǔn)器件及寄生數(shù)據(jù)，同時(shí)也致力于保留先前工藝所采用的使用模型。

 

 

然而，每個(gè)晶圓代工廠都會(huì)修改標(biāo)準(zhǔn)模型以使得更貼切地表現(xiàn)特定的架構(gòu)和工藝。此外，在這些先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)處，晶圓代工廠希望其通過(guò)參考場(chǎng)解算器建立的“黃金”模型與該領(lǐng)域設(shè)計(jì)人員使用提取工具得到的結(jié)果有更緊密的關(guān)聯(lián)。在28納米級(jí)節(jié)點(diǎn)，晶圓代工廠希望商業(yè)提取工具精度介于其黃金模型的5%到10%之間。對(duì)于鰭式場(chǎng)效晶體管工藝，晶圓代工廠要求商業(yè)提取工具與黃金模型之間的平均精度誤差在2%以內(nèi)，3倍離散標(biāo)準(zhǔn)偏差僅為6%-7%。

 

最具挑戰(zhàn)性的任務(wù)是計(jì)算鰭式場(chǎng)效晶體管與其周圍環(huán)境之間更復(fù)雜且無(wú)法估量的相互之間的寄生數(shù)據(jù)，這需要涉及前段制程（FEOL）幾何結(jié)構(gòu)的精確3D建模。確保三維空間中的精度需要使用3D場(chǎng)解算器進(jìn)行提取。3D場(chǎng)解算器在先前用于制程特性而非設(shè)計(jì)，因?yàn)槠溆?jì)算成本太高且速率太慢?，F(xiàn)在新一代的三維提取工具，比如Mentor的Calibre xACT，通過(guò)采用自我調(diào)整網(wǎng)格化技術(shù)加速計(jì)算的方法使其運(yùn)行速度比之前快了一個(gè)數(shù)量級(jí)。其還有可利用現(xiàn)代多CPU計(jì)算環(huán)境的高度可擴(kuò)容架構(gòu)。有了這些功能，提取工具可以輕松地在32 CPU機(jī)器上執(zhí)行場(chǎng)解算器計(jì)算解決方案，小至數(shù)個(gè)單元大至數(shù)百萬(wàn)內(nèi)嵌晶體管的模塊。

 

在全芯片層次，我們需要考慮數(shù)十億晶體管設(shè)計(jì)以及幾千萬(wàn)根連接導(dǎo)線，即使是快速場(chǎng)解算器也無(wú)法提出實(shí)用的周轉(zhuǎn)時(shí)間。解決方法是采用先進(jìn)的啟發(fā)式算法，對(duì)于復(fù)雜的結(jié)構(gòu)采用場(chǎng)解算器，對(duì)于一般的幾何圖形可采用基于表格的提取方法 (table-based)。這種方法是可行的，由于在布線網(wǎng)格中的電場(chǎng)模型類似于前制程節(jié)點(diǎn)所見的。在最理想的情況下，設(shè)計(jì)工程師所用的提取使用模型不會(huì)改變，因?yàn)樘崛」ぞ邥?huì)自動(dòng)在場(chǎng)解算器和表格方法之間移動(dòng)。

 

隨著雙重和三重光罩在從20納米級(jí)節(jié)點(diǎn)制造開始中扮演著越來(lái)越重要的作用，我們正經(jīng)歷著互連角點(diǎn)(interconnect corners)數(shù)量的飛躍。在28納米，5個(gè)互連角點(diǎn)是可能的，然而對(duì)于16納米級(jí)，我們預(yù)計(jì)需要11-15個(gè)角點(diǎn)。先進(jìn)的多角點(diǎn)分析計(jì)劃可以實(shí)現(xiàn)更高效的計(jì)算，減少每個(gè)額外角點(diǎn)所需的額外計(jì)算量。此外，我們可以并行處理角點(diǎn)，以使每一個(gè)額外角點(diǎn)僅增加10%的整體周轉(zhuǎn)時(shí)間。這意味著15個(gè)角點(diǎn)只需要2.5倍的單個(gè)角點(diǎn)運(yùn)行時(shí)間。

 

 

測(cè)試和失效分析是特別重要的，因?yàn)轹捠綀?chǎng)效晶體管的關(guān)鍵尺寸首次比底層節(jié)點(diǎn)尺寸小得多。這使得提高的缺陷水平以及增加良率的挑戰(zhàn)日益受到關(guān)注。單元識(shí)別(Cell-Aware)的測(cè)試方法特別適合于解決這些問(wèn)題，因?yàn)樗梢枣i定晶體管級(jí)的缺陷。相對(duì)來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的掃描測(cè)試模式只能識(shí)別單元之間互連件的缺陷。單元識(shí)別分析過(guò)程建立一個(gè)基于單元布局內(nèi)缺陷仿真行為的故障模型。結(jié)果能生產(chǎn)出更高質(zhì)量的圖形向量。當(dāng)采用單元識(shí)別方式自動(dòng)產(chǎn)生測(cè)試圖形向量（ATPG），硅驗(yàn)證結(jié)果表明從350納米級(jí)到鰭式場(chǎng)效晶體管級(jí)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，明顯檢測(cè)出額外更多的缺陷，超出固定模式及過(guò)渡模式。

 

考慮具有三個(gè)鰭的多鰭式場(chǎng)效晶體管。最近的研究建議，這樣的晶體管應(yīng)考慮兩個(gè)缺陷類型：導(dǎo)致晶體管部分或全部擊穿的泄漏缺陷以及導(dǎo)致晶體管部分或完全關(guān)閉的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度缺陷。

圖1：鰭式場(chǎng)效晶體管泄漏缺陷的測(cè)試

 

泄漏缺陷可以通過(guò)在每個(gè)晶體管的3鰭片兩端柵極（從漏極到源極）放置電阻來(lái)分析，如圖1所示。在單元識(shí)別分析過(guò)程中，模擬仿真(analog simulation)在一個(gè)給定單元庫(kù)對(duì)于所有鰭式場(chǎng)效晶體管的所有不同電阻值的電阻進(jìn)行。在晶體管在一定門閾值的情況下響應(yīng)延遲，對(duì)缺陷進(jìn)行建模。驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度缺陷可以通過(guò)在漏極和每個(gè)柵極之間以及在源極和柵極之間放置電阻的方法來(lái)分析。至于泄漏測(cè)試，模擬仿真通過(guò)改變每個(gè)電阻的電阻值來(lái)進(jìn)行。每個(gè)鰭片的響應(yīng)時(shí)間差異用于決定是否需要進(jìn)行缺陷建模。其他的鰭式場(chǎng)效晶體管缺陷類型可以通過(guò)類似的方法來(lái)處理。

 

鰭式場(chǎng)效晶體管確實(shí)帶來(lái)了一些新的挑戰(zhàn)，但電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具供貨商和晶圓代工廠會(huì)盡全力以對(duì)集成電路設(shè)計(jì)流程影響最小的方式整合解決方案。