產(chǎn)品特性：

• 集中展示了該公司在半導(dǎo)體和無源器件方面的卓越能力
• 為設(shè)計工程師提供了實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先性能規(guī)格的捷徑

適用范圍：

• 工業(yè)電子、醫(yī)療電子及便攜產(chǎn)品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2012年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12集中展示了該公司在半導(dǎo)體和無源器件方面的卓越能力，為設(shè)計工程師提供了實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先性能規(guī)格的捷徑，以及Vishay廣泛產(chǎn)品組合的典型代表。

2012年的Super 12產(chǎn)品是：

MKP1848S薄膜電容器—用于DC-link應(yīng)用的薄膜鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器，具有2µF～100µF的業(yè)內(nèi)最寬CV范圍，電壓等級500VDC～1,000VDC，以及12mm、15mm、18mm和24mm的小尺寸。

VCUT05D1-SD0 BiSy單線ESD保護二極管—采用新型超小尺寸的CLP0603硅封裝，二極管具有10pF的低電容，可在便攜式電子產(chǎn)品中保護信號和數(shù)據(jù)線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。

34 THE非接觸式多匝傳感器—34 THE是業(yè)界首款采用非接觸式技術(shù)的多匝傳感器，采用伺服安裝時具有5千萬次循環(huán)的超長壽命，采用套管安裝時具有1千萬次循環(huán)的壽命，可測量3600°以內(nèi)的任何電角度。

45V Trench MOS勢壘肖特基TMBS®單片整流器—具有10A～40A的寬電流范圍，以及在20A電流下低至0.51V的正向壓降。適合在太陽能電池接線盒中用作旁路二極管。

MPM配對電阻網(wǎng)絡(luò)—具有嚴(yán)格的比例容差和緊密的TCR跟蹤，分壓比為1:1～100:1，可用于過程控制、測試和測量、儀表、信號調(diào)理和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。

CNY6系列 CAT IV光耦—業(yè)內(nèi)首款采用表面貼裝封裝和適用于太陽能和風(fēng)機裝置的器件。光耦可保護人員和設(shè)備避免受到傷害，或是避免被12000V的高電壓尖峰或瞬態(tài)電壓，以及反復(fù)出現(xiàn)的1450V的峰值電壓所擊傷，同時還能讓數(shù)據(jù)從高壓側(cè)傳送到低壓的監(jiān)控設(shè)備。

IHLP® 3232系列小尺寸、高電流電感器—高性能、節(jié)省空間和能源的解決方案，用于移動設(shè)備、筆記本電腦、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡、便攜式游戲機、個人導(dǎo)航系統(tǒng)和其他產(chǎn)品中的電壓穩(wěn)壓模塊(VRM)和DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，SiHG73N60E E系列600 V高壓MOSFET—在10V柵極驅(qū)動下具有39m?的導(dǎo)通電阻和最大362nC的超低柵極電荷，可在開關(guān)電壓、PFC、照明和工業(yè)應(yīng)用中實現(xiàn)出眾的性能。

TM8 MICROTAN ®鉭電容器—用于嚴(yán)格需要高可靠性醫(yī)療和軍工航天應(yīng)用，小外形尺寸的TM8具有非常低的直流泄漏電流和可定制的篩選選項，包括威布爾失效率分級。

SiSA04DN 30V MOSFET—TrenchFET® Gen IV器件采用熱增強型PowerPAK® 1212-8封裝，具有低至2.5m?的導(dǎo)通電阻和22.5nC的柵極電荷，使DC/DC轉(zhuǎn)換的優(yōu)值系數(shù)(FOM)達到56。

TNPU e3高精度薄膜片式電阻—兼具可靠性和高等級的精度，容差低至±0.05%，TCR低至±5 ppm/K，可用于放大器、精密電壓分壓器，以及工業(yè)、汽車、航空、醫(yī)療和電信設(shè)備中的控制單元。

SiP12107/8可擴展降壓穩(wěn)壓器—高頻電流模式恒定導(dǎo)通時間(CM-COT)同步降壓穩(wěn)壓器帶有集成的高邊和低邊功率MOSFET。穩(wěn)壓器的功率級可以以4MHz開關(guān)頻率輸出3A或5A的連續(xù)電流，用于計算、消費電子、電信和工業(yè)應(yīng)用。