產(chǎn)品特性：

• 采用從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊
• 其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz
• 提供從256KB到高達(dá)1.5MB的閃存
• 采用64引腳至176引腳的封裝

適用范圍：

• 用于車身控制

全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出19款新型低功耗V850E2/Fx4-L系列32位微控制器MCU。 新系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于車身控制，與先進(jìn)的外設(shè)功能相結(jié)合，具有可升級性和兼容性，從而為車頂或車窗升降器、車門、座椅和照明模塊、HVAC（加熱、通風(fēng)和空調(diào)）及車身控制模塊等應(yīng)用提供了最佳的解決方案。

基于V850的新款MCU系列實(shí)現(xiàn)了極低的功耗，在有源模式下的功耗為：0.35mA/1MHz。

V850E2/Fx4-L MCU具備獨(dú)有的節(jié)能特性，稱為定序器（SEQ）SEQ支持在省電模式下對于數(shù)字輸入端口的輸入水平變化進(jìn)行監(jiān)控，無需占用任何的CPU或存儲器。當(dāng)SEQ在數(shù)字輸入時檢測到了變化時，器件開關(guān)將從省電模式切換到工作模式。還有一個獨(dú)有的特性是LIN主線控制器(LMA)，可不通過CPU的相互作用，支持自動的LIN框架檢測。

新款低功耗V850E2/Fx4-L MCU整合并擴(kuò)展了NEC電子和瑞薩科技的原有技術(shù)，即V850 32位RISC CPU和節(jié)能型MONOS (metal oxide nitride oxide silicon)閃存技術(shù)，采用了RX和SH™ MCU 系列的90納米（nm）工藝技術(shù)。

V850E2/Fx4-L MCU采用了從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊，其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz。通過采用AUTOSAR和增強(qiáng)型的系統(tǒng)功能，對于更大的存儲性能的要求日益增多。V850E2/Fx4-L MCU通過提供從256KB到高達(dá)1.5MB的閃存滿足了這種需要，這些存儲器采用64引腳至176引腳的封裝。配置了增強(qiáng)型的外設(shè)，包括PWM生成，多達(dá)兩個CAN接口及8個DMA（直接存儲器存?。┩ǖ馈?br />
經(jīng)過完全驗(yàn)證的AUTOSAR MCAL（微控制器抽象層）軟件驅(qū)動包計(jì)劃推出。瑞薩MCAL軟件驅(qū)動包可采用獨(dú)立的軟件封裝或集成在一個與其它合作伙伴合作開發(fā)的完整的基本軟件棧中。為了符合AUTOSAR的要求，已經(jīng)在所有V850E2/Fx4-L器件中增加了新的系統(tǒng)保護(hù)功能(SPF)。SPF包括存儲器保護(hù)單元（MPU）和系統(tǒng)寄存器保護(hù)（SRF）。