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“3英寸品僅為7萬日元左右”——用于功率元件的SiC底板不斷降價

發(fā)布時間:2010-01-08 來源:技術在線

新聞事件:
  • 功率元件用SiC底板品質(zhì)不斷提高,價格也在不斷下降
  • SiC底板紛紛亮相研究會
行業(yè)影響:
  • 4英寸底板已不再特殊

功率元件用SiC底板不僅品質(zhì)不斷提高,價格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來了需求擴大,但降價的主要原因在于提供好品質(zhì)底板的廠商增多,“開始出現(xiàn)價格競爭”(多家底板廠商)。據(jù)某家底板廠商介紹,雖然價格根據(jù)結晶缺陷密度等品質(zhì)而有所不同,但“直徑為3英寸(75mm)的產(chǎn)品在大量購買時價格已經(jīng)只有7萬日元左右。而去年還約為10萬日元”。也就是說,價格在以每年30%左右的幅度下降。

還有多家廠商在銷售“外延底板”,這種底板上不僅層疊有SiC底板,還層疊有外延層。日本國內(nèi)的主要外延底板廠商是昭和電工。該公司已經(jīng)上市4英寸外延底板。該公司是從其他公司采購SiC底板,層疊上外延層后銷售。

外延底板的價格方面,“外延層的厚度為10μm左右,價格是3英寸底板的大約2倍”(多家外延底板廠商)。

SiC底板紛紛亮相研究會

在此背景下,與2009年12月17~18日舉行的“第18屆SiC及寬帶隙半導體研究會”同時舉辦的展會上,有多家企業(yè)展出了SiC底板(4H型)和外延底板。

東麗道康寧自信地表示“品質(zhì)不亞于頂尖廠商(美國科瑞)”(解說員)(圖1、2)。該公司同時還在銷售美國道康寧的SiC底板(參閱本站報道)。3英寸的4H型SiC底板保證微管密度不超過3個/cm2。“實際上為大約0.2個/cm2”(該解說員)。2009年5月以后,通過大幅改善制造工藝底板品質(zhì)得到了提高。除去微管,錯位等缺陷的密度在5000~7000個/cm2左右。底板表面上的結晶缺陷占整個底板的5~15%。

除3英寸底板外,東麗道康寧還提供3英寸的外延底板。4英寸底板定于2010年1月、4英寸的外延底板定于7~9月銷售。而有關6英寸底板的銷售目標則是2011年供應樣品。

4英寸底板已不再特殊

SiC底板的大口徑化也在穩(wěn)步推進,目前已有多家廠商在提供4英寸底板。此次展會的參展企業(yè)有諸如代表美國II-VI參展的II-VI日本法人公司和德國SiCrystal等(圖3)。II-VI日本展出了微管密度標準為1.3個/cm2、優(yōu)質(zhì)品為0個的“無微管”4H型SiC底板。微管除外的錯位等缺陷密度低于1萬個/cm2。

雖然尚無銷售計劃,但直徑5英寸的底板已經(jīng)開發(fā)完成。今后將進一步增大直徑,目標是2012年左右銷售6英寸直徑的產(chǎn)品。另外,II-VI日本今后將進一步擴大業(yè)務。“力爭到2014~2015年左右,銷量達到現(xiàn)在的9倍”(II-VI日本的解說員)。另外,該公司表示沒有涉足外延底板的計劃。

德國SiCrystal的最大股東進入2009年以后變成了羅姆。但SiCrystal底板的銷售跟以前一樣,仍不僅限于羅姆。會場上,該公司的日本銷售代理店(Ceramic Forum)展出了4英寸底板等(圖4、5)。3英寸和4英寸底板的高端產(chǎn)品中微管密度保證低于3個/cm2。

此外,作為銷售代理,日本New Metals & Chemicals還展出了北京天科合達藍光半導體制造的SiC底板。

    
       圖1:東麗道康寧展出的SiC底板                              圖2:東麗道康寧的展板                                         圖3:美國II-VI的SiC底板
                                                                                                                                                             右為功率元件用4H型,左為高頻元件用6H型
                                             
                                       圖4:SiCrystal的4英寸底板                                               圖5:Ceramic Forum的展板
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