- 以后政府將加大對分立器件廠商的扶持力度
- 市場對半導體分立器件的要求越來越高
- 一些高功率的分立器件將在未來多種應用中將扮演重要角色
- 2008中國的分立器件出貨量為2,461億只，比07年下滑1.1%，而銷售額更是增長12.3%，達到938億元
“今天在會上我聽到最溫暖的一句話就是今后我們半導體分立器件產(chǎn)業(yè)將劃歸工信部信息產(chǎn)品司集成電路處管理，關白玉處長的這句話令我們非常激動。”在前不久深圳舉辦的2009中國半導體分立器件市場年會上長電科技副董事長于燮康在大會上表示，“這表示以后政府將加大對分立器件廠商的扶持力度。”長期以來，看到自己的同胞兄弟(集成電路廠商)不斷享受各種扶持政策，而自己只能作為旁觀者的分立器件廠商這下終于等到了平等權益的這一天。
事實上，隨著市場對半導體分立器件的要求越來越高，一些先進分立器件的技術水平與集成電路不相上下，特別是一些特殊的高功率、高壓分立器件，需要非常高的技術門檻，享受與集成電路企業(yè)一樣的“高新技術企業(yè)”待遇是早就應該解決的事情。“雖然有越來越多的分立器件集成到IC中，但是分立器件將是不可替代的，其低成本性、靈活應用特性、可靠性以及且采購渠道和資源豐富等特點決定了用戶對它的持續(xù)需求。”于燮康說道，“特別是一些高功率的分立器件，是未來多種應用中將扮演重要的角色。”比如在將來的混合電力純電力汽車中，高功率分離器件將扮演重要角色，這也是中國很多分立器件廠商目前的研發(fā)方向。
2008年在全球市場大幅下滑的情況下，中國的分立器件出貨量為2,461億只，比07年下滑1.1%，而銷售額更是增長12.3%，達到938億元，好于其它市場。“2008年我國分立器件產(chǎn)銷的一大亮點主要得益于全球電子整機對節(jié)能、環(huán)保需求的不斷增長，這一方面帶動了分立器件產(chǎn)品的需求增長，另一方面也帶動了市場產(chǎn)品結構的快速升級。”于燮康解釋。產(chǎn)品結構的快速升級帶來的是銷售額比產(chǎn)量更快速地增長。“未來幾年，分立器件將向微型化、片式化、高性能化方向發(fā)展，功率分立器件大有作為。同時，汽車電子市場對功率器件的需求也迅速增長。”
劃歸集成電路管理處后，半導體分立器件企業(yè)將有可能享受與集成電路企業(yè)一樣的扶持政策，這將為分立器件業(yè)的發(fā)展注入一股強大的催化劑。不過，會上中國半導體行業(yè)協(xié)會秘書長徐小田對《國際電子商情》表示，大家不要對“兩稅”的減免寄予過高的期望。“一號文件中規(guī)定了對高新技術企業(yè)所得稅減半，如果評不上高新企業(yè)就不能享受這個待遇；另外增值稅減免對集成電路企業(yè)也沒有特殊待遇，現(xiàn)在是陽光普照，對國內進口設備同樣待遇。”他接著指出，“兩稅政策就那樣了，企業(yè)不要再寄予過高的希望。另一方面也說明，企業(yè)不要太過依賴于減免稅政策，要從自身創(chuàng)新尋求發(fā)展。包括資本、人才、技術和產(chǎn)品的創(chuàng)新。”
分立器件業(yè)的發(fā)展趨勢
半導體分立器件通?？偸茄刂β省㈩l率兩個方向發(fā)展，發(fā)展新的器件理論、新的結構，出現(xiàn)各種新型分立器件。于燮康指出以下幾種熱門半導體分立器件的發(fā)展方向
一、發(fā)展電子信息產(chǎn)品急需的高端分立器件，如SiGaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電器件、變容管及肖特基二極管等；
二、發(fā)展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導體材料為基礎的新型器件；
三、跟蹤世界半導體分立器件發(fā)展趨勢，加強對納米器件、超導器件等領域的研究；
四、分立器件封裝技術的發(fā)展，要以片式器件為發(fā)展方向，以適應各種電子設備小型化、輕量化、薄型化的需要。
中國電科集團南京電子器件研究所單片集成電路與模塊國家級重點實驗室邵凱對微波器件的發(fā)展趨勢發(fā)表如下看法：微波器件的應用主要分為三大類：以手機射頻功放為代表的輸出功率小于5W，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件；以移動通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用于通信、雷達等領域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。
它涉及到的半導體材料包括第一代的硅，第二代的砷化鎵、磷化銦以及第三代的氮化鎵和碳化硅等。不同材料適合不同應用。目前砷化鎵異質結雙極晶體管(GaAs HBT)是手機射頻功放的主流技術；移動通信基站功放則主要用硅橫向擴散金屬氧化物半導體場效應器件(Si LDMOS)；微波毫米波功放主要用砷化鎵配高電子遷移率晶體管(GaAs pHEMT)。但其它材料和器件結構也在參與激烈競爭，尤其是第三代半導體材料氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的出現(xiàn)帶來了新的希望。
中國電子科技集團公司趙正平則指出，GaN HEMT在微波毫米波領域有了突破性進展，目前正處于從科研向工程化轉化的關鍵時期。由于其高的擊穿場強，高電子飽和速度，高的兩維電子氣濃度，SiC襯底的高熱導率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。預期2010年GaN HEMT將在軍民用系統(tǒng)中獲得應用。
