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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，應(yīng)用于EV和HEV的IGBT要經(jīng)受得住更多的考驗。在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機械振動或機械沖擊等多種試驗中，IGBT模塊會出現(xiàn)一些典型的故障模式。廠家針對這種問題研發(fā)出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導體模塊。
2008-11-02
IGBT 故障模式 HybridPACK PrimePACK
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一種新型的IGBT短路保護電路的設(shè)計
本文提出了一種直接檢測IGBT發(fā)生短路故障的方法，在詳細分析IGBT短路檢測原理的基礎(chǔ)上給出了相應(yīng)的IGBT短路保護電路。仿真及實驗結(jié)果均證明該電路工作穩(wěn)定可靠,能很好地對IGBT實施有效的保護。
2008-11-02
IGBT 短路保護 Uce PWM H型橋式
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一種新型實用的IGBT 驅(qū)動電路
在分析了IGBT 驅(qū)動條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的 IGBT 驅(qū)動電路，并給出各自的優(yōu)缺點。介紹自行設(shè)計的一種簡單、實用的新型IGBT 驅(qū)動電路。經(jīng)實踐表明，該電路經(jīng)濟、實用、安全、可靠，同時具有IGBT 過電流保護功能，具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
IGBT 驅(qū)動 過電流保護
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
柵極電阻會影響IGBT的開關(guān)時間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但同時也必須注意快速的導通關(guān)斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
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如何根據(jù)需要恰當選擇電機
深入了解各種電機的特點有助于工程師對所需的應(yīng)用選擇適當?shù)碾姍C。本文簡單介紹永磁有刷換向直流電機、無刷直流電機與混合式步進電機的工作原理，并從若干方面對這幾種電機的特點進行詳細的分析比較，以助于工程師選擇參考。
2008-11-02
永磁有刷換向直流電機 無刷直流電機 混合式步進電機
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電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)電機驅(qū)動電路的設(shè)計
電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）由電動機直接提供轉(zhuǎn)向助力，只需通過改變控制器軟件的設(shè)計，即可方便地調(diào)節(jié)汽車系統(tǒng)的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機為微控制器的EPS控制系統(tǒng)電機驅(qū)動電路的設(shè)計，經(jīng)試驗該系統(tǒng)性能良好，可基本滿足電動助力系統(tǒng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
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步進電機H橋驅(qū)動電路設(shè)計
本文設(shè)計的步進電機H橋驅(qū)動電路，使加到電機繞組上的電流信號前后沿較陡，降低了開關(guān)損耗，改善了電機的高頻特性，同時具有多種保護功能．實驗證明，該驅(qū)動電路簡單、可靠并具有優(yōu)良的驅(qū)動性能。
2008-11-02
H橋 功率驅(qū)動 MOSFET U14 1N4744
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MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)
常用MOSFET管主要有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，兩者在導通的時候都會有導通損耗和開關(guān)損失出現(xiàn)，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅(qū)動問題方面，除了要考慮導通電壓的問題，速度也是一個考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 導通損耗 開關(guān)損失
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IPM驅(qū)動和保護電路的研究
智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優(yōu)點于一身的功率開關(guān)器件，，內(nèi)置的驅(qū)動和保護電路縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護能力。本文簡單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅(qū)動和保護電路的設(shè)計方法，并給出了設(shè)計實例。
2008-11-02
IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC
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