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電子鎮(zhèn)流器的防電磁干擾設(shè)計(jì)方案
本文介紹了電子鎮(zhèn)流器的組成，電磁干擾產(chǎn)生的來(lái)源及影響，電磁干擾的抑制措施。
2011-09-09
電子鎮(zhèn)流器 電磁干擾 EMI 濾波器
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大功率開(kāi)關(guān)電源的EMC測(cè)試分析及正確選擇EMI濾波器
開(kāi)關(guān)電源所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強(qiáng)，使整個(gè)電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴(yán)重。對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成了潛在的威脅，因此解決開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾是減小電網(wǎng)污染的必要手段，本文對(duì)一臺(tái)15kW開(kāi)關(guān)電源的EMC測(cè)試，分析其測(cè)試結(jié)果，并介紹如何合理地正確選擇EMI濾波器，以達(dá)到理想的抑制...
2011-09-09
開(kāi)關(guān)電源 濾波器 EMI 電磁干擾
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從散熱技術(shù)探討LED路燈光衰問(wèn)題
LED路燈嚴(yán)重光衰的問(wèn)題,需要從LED散熱技術(shù)的根本來(lái)解決。
2011-09-09
散熱 LED 光衰
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國(guó)家規(guī)劃將出臺(tái) LED等新興節(jié)能產(chǎn)業(yè)獲扶持
據(jù)悉，由國(guó)家發(fā)改委環(huán)資司牽頭制定的《“十二五”節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，經(jīng)過(guò)了三輪征求意見(jiàn)，即將上報(bào)國(guó)務(wù)院，預(yù)計(jì)最快9月出臺(tái)。針對(duì)節(jié)能環(huán)保企業(yè)稅收減免、特許經(jīng)營(yíng)權(quán)、提高產(chǎn)業(yè)集中度等內(nèi)容或成該規(guī)劃亮點(diǎn)。
2011-09-09
LED 新興產(chǎn)業(yè) 節(jié)能 國(guó)家規(guī)劃
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薄膜太陽(yáng)能電池或?qū)⑷嫣娲Ч桦姵?/span>
在即將出臺(tái)的《可再生能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》中提出，未來(lái)5年內(nèi)屋頂太陽(yáng)能裝機(jī)規(guī)模目標(biāo)為300萬(wàn)千瓦，到2020年規(guī)?？蛇_(dá)2500萬(wàn)千瓦，在目前30萬(wàn)千瓦基礎(chǔ)上增長(zhǎng)80多倍。此前普遍不被看好的薄膜太陽(yáng)能電池組件商有望進(jìn)入業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)通道。
2011-09-09
太陽(yáng)能電池 晶硅電池 薄膜電池 光電產(chǎn)業(yè)
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市調(diào)機(jī)構(gòu)認(rèn)為2011下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)仍有些許樂(lè)觀跡象
由分析師BillJewell創(chuàng)立的顧問(wèn)機(jī)構(gòu)SemiconductorIntelligence指出，2011下半年電子產(chǎn)業(yè)景氣有些許樂(lè)觀跡象，但該機(jī)構(gòu)仍將2011年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)值，由原先的9%下修為4%。
2011-09-09
半導(dǎo)體廠 半導(dǎo)體 晶片 半導(dǎo)體市場(chǎng)
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飛思卡爾創(chuàng)新智能電表解決方案助力智能電網(wǎng)建設(shè)
早在2008年金融危機(jī)開(kāi)始的之前，智能電網(wǎng)已經(jīng)開(kāi)始成為全球許多國(guó)家所重視的項(xiàng)目之一。如今，作為經(jīng)濟(jì)刺激方案的重要途徑，智能電網(wǎng)及其所帶動(dòng)的智能電表已經(jīng)為美國(guó)、歐洲許多政府部門(mén)大力支持。在中國(guó)，智能電表已然成為智能電網(wǎng)的基礎(chǔ)配備之一，扮演著智能電網(wǎng)發(fā)展先行者的角色。
2011-09-09
飛思卡爾 智能電表 智能電網(wǎng)
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工業(yè)光纖在高壓變頻器中的應(yīng)用
在高壓變頻器中，為解決單元串聯(lián)多電平高壓變頻器中主控系統(tǒng)與功率單元之間存在的強(qiáng)弱電隔離，及功率單元與功率單元之間的電磁干擾問(wèn)題，提出了采用光纖連接方法實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動(dòng)PWM信號(hào)的遠(yuǎn)距離傳送。
2011-09-09
工業(yè)光纖 高壓變頻器 弱電 PWM
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詳談IGBT電力電子裝置的應(yīng)用
IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。而IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn)，是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2011-09-09
IGBT 電力電子 驅(qū)動(dòng)電流 晶體三極管
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