【導(dǎo)讀】如何抑制來(lái)自開(kāi)關(guān)電源的復(fù)雜的FM頻段傳導(dǎo)輻射？雖然EMI屏蔽和鐵氧體夾是較受歡迎的EMI解決方案，但它們價(jià)格昂貴、體積笨重，有時(shí)使用效果不理想。我們可以通過(guò)了解FM頻段EMI噪聲的來(lái)源，以及利用電路和PCB設(shè)計(jì)技術(shù)從源頭進(jìn)行抑制，以降低這些噪聲。
電源網(wǎng)絡(luò)的EMI性能在噪聲敏感型系統(tǒng)中至關(guān)重要，例如汽車(chē)電路，尤其是涉及開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的情況下。工程師們可能需要花費(fèi)大量時(shí)間來(lái)減少傳導(dǎo)輻射(CE)和電磁輻射騷擾(RE)。特別是，在測(cè)量CE時(shí)，F(xiàn)M頻段（76 MHz至~108 MHz）可能是最難達(dá)到要求并通過(guò)測(cè)試的區(qū)域。設(shè)計(jì)人員可能需要花費(fèi)大量時(shí)間來(lái)解決這一問(wèn)題。為何FM頻段中的CE噪聲如此難以消除？
低頻（AM頻段）CE中的噪聲主要為差模(DM)噪聲。高頻（FM頻段）CE中的噪聲主要為共模(CM)噪聲。 1共模噪聲電流由PCB上電壓變化的節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生。電流通過(guò)雜散電容泄漏至參考地，然后返回正負(fù)輸入電纜（參見(jiàn)圖1）。因?yàn)镻CB周?chē)碾s散電容非常復(fù)雜，所以無(wú)法仿真雜散電容和預(yù)估FM頻段的傳導(dǎo)EMI。最好是在EMI室中測(cè)試電路板。
圖1.傳導(dǎo)輻射、共模噪聲電流路徑。
在實(shí)驗(yàn)室中，有些行之有效的方法可以有效降低FM頻段的EMI，包括改變開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)壓擺率、開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)布局、熱回路布局、電感，甚至是輸入電纜和負(fù)載的位置。每種方法的功效因電路板而異。
本文探討幾種簡(jiǎn)單的低成本方法，可以在不使用鐵氧體夾或屏蔽的情況下降低電路板上的FM頻段傳導(dǎo)EMI。我們?cè)诮?jīng)過(guò)認(rèn)證的EMI室中，將LT3922-1 汽車(chē)HUD LED驅(qū)動(dòng)器裝載到電路板上，然后執(zhí)行電流探頭CE測(cè)試，以驗(yàn)證結(jié)果，如圖2所示。
圖2.LT3922-1汽車(chē)HUD LED驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)化原理圖。
在本次測(cè)試中，我們根據(jù)CISPR 25 EMI設(shè)置，采用電流探頭法來(lái)測(cè)量CE，如圖3所示。我們可以使用電壓探頭法或電流探頭法來(lái)測(cè)試CE，但大家普遍認(rèn)為電流探頭法標(biāo)準(zhǔn)更加嚴(yán)格。電流CE方法不是測(cè)量LISN的電壓輸出，而是利用高帶寬電流探頭來(lái)測(cè)量通過(guò)電源線或線束傳送的CM噪聲信號(hào)，它們分別距離DUT 50 mm和750 mm。每次掃描時(shí)采集CE的峰值和平均數(shù)據(jù)，并與公布的標(biāo)準(zhǔn)限值進(jìn)行比較。
圖3.EMI測(cè)試室(50 mm)中的CISPR 25電流探頭傳導(dǎo)輻射(CE)設(shè)置。
使用電流探頭方法時(shí)，CISPR 25 Class 5中描述的FM頻段平均CE限值低至−16 dBµA。這里，我們展示幾種在使用電流探頭法測(cè)試CE時(shí)，可以有效改善FM頻段的測(cè)試結(jié)果的方法。其中許多方法也可用于在使用電壓探頭法測(cè)試CE時(shí)改善測(cè)試結(jié)果。
除非另有說(shuō)明，本次研究中進(jìn)行的所有測(cè)試均啟用SSFM功能。啟用SSFM之后，開(kāi)關(guān)頻率及其諧波下的EMI尖峰都會(huì)降低。
共模扼流圈可抑制EM頻段的EMI噪聲
CM噪聲電流是在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的，通過(guò)雜散電容泄漏到參考地，然后通過(guò)同一方向的輸入電源和回路返回。通過(guò)使用CM扼流圈提高回路中的共模阻抗，可以抑制多余的CM噪聲。
圖4顯示了50 mm和750 mm平均電流探頭CE結(jié)果，對(duì)不安裝扼流圈的初始電路和將扼流圈安裝在LED驅(qū)動(dòng)器電路之前的電路進(jìn)行比較。圖中也顯示了環(huán)境本底噪聲作為參考。FM頻段CE（76 MHz至~108 MHz）降低了8 dBµA以上。
表1.測(cè)試所用電感的技術(shù)規(guī)格比較
電感帶來(lái)變化
快速變化的電壓和電流作用于主電感，使其成為電磁天線，因此，電感可以成為FM頻段CE噪聲的來(lái)源。我們可以使用多種電感方法來(lái)改善EMI測(cè)試結(jié)果。例如，電感安裝的方向可以帶來(lái)改變。2屏蔽電感的輻射通常比非屏蔽電感低，有些磁芯材料對(duì)H場(chǎng)和E場(chǎng)輻射的抑制作用也比其他材料強(qiáng)。例如，鐵粉和金屬合金粉電感在頻率高于1 MHz時(shí)，E場(chǎng)屏蔽效果減弱。MnZn和NiZn在更高開(kāi)關(guān)頻率下性能更好。2, 3帶裸露焊盤(pán)的電感性能不如焊盤(pán)未裸露的電感。將內(nèi)部線圈的長(zhǎng)引線連接到高dV⁄dt（開(kāi)關(guān)）節(jié)點(diǎn)會(huì)使E場(chǎng)輻射大幅增加。
圖4.電流探頭CE測(cè)試表明，在使用共模扼流圈時(shí)，F(xiàn)M頻段內(nèi)的輻射較低。
圖5.電流探頭CE測(cè)試結(jié)果比較（電感）。
圖6.電流探頭CE測(cè)試結(jié)果比較（開(kāi)關(guān)頻率）。
采用三個(gè)22 µH屏蔽電感進(jìn)行測(cè)試，如表1所示。在不采用CM扼流圈的相同電路中評(píng)估EMI，每個(gè)電感都按照能提供最佳性能的方向安裝。比較結(jié)果如圖5所示。在本次研究中，Coilcraft XEL電感的FM頻段噪聲抑制性能最佳，與其他3L電感相比，將FM頻段EMI降低5.1 dB。
開(kāi)關(guān)頻率(fsw)越低，F(xiàn)M頻段內(nèi)的噪聲越小
降低開(kāi)關(guān)頻率可以降低給定高頻下的發(fā)射能量。在圖6中，對(duì)不使用CM扼流圈的電路執(zhí)行電流探頭CE測(cè)試，并比較在200 kHz、300 kHz和400 kHz開(kāi)關(guān)頻率下的測(cè)試結(jié)果。除RT外的所有組件都保持不變。測(cè)試結(jié)果顯示，200 kHz時(shí)FM頻段內(nèi)的EMI最低，與400 kHz時(shí)相比，輻射降低3.2 dB。
通過(guò)減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積來(lái)減少天線噪聲
高dV⁄dt開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是一個(gè)噪聲源，會(huì)產(chǎn)生電容耦合，增加CE中的CM EMI噪聲。它也像天線一樣工作，向空間輻射電磁噪聲，也會(huì)影響輻射EMI。因此，盡可能減小PCB布局上的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積可以改善EMI性能
為了在PCB電路板上測(cè)試這一點(diǎn)，我們切除了部分銅芯，并將電感移動(dòng)到更靠近IC的位置（如圖7所示），以此減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積。我們測(cè)試了切除銅芯之前和之后的EMI，測(cè)試結(jié)果如圖8所示。
結(jié)果顯示，50 mm電流探頭CE測(cè)試在105 MHz時(shí)降低了1 dB，而750 mm測(cè)試沒(méi)有明顯改善。這一結(jié)果表明，在此應(yīng)用中，銅芯面積不是影響FM頻段EMI的主要因素。盡管如此，為了實(shí)現(xiàn)低EMI的PCB布局，或在設(shè)法消除EMI期間，盡量減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積仍然是值得嘗試的。
圖7.開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)切除區(qū)域。
圖8.電流探頭CE測(cè)試結(jié)果比較（開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積）。
結(jié)論
電源的EMI性能主要取決于電源IC的性能，但即使是高性能IC，也只能通過(guò)選擇合適的組件和有效的PCB布局來(lái)實(shí)現(xiàn)低EMI。在本文中，我們利用基于LT3922-1汽車(chē)HUD LED驅(qū)動(dòng)器構(gòu)建的電路板，探討了幾種抑制FM頻段內(nèi)傳導(dǎo)輻射(CE)的方法。
在正負(fù)輸入電纜上安裝CM扼流圈會(huì)增大共模噪聲電流回路中的阻抗。采用不同磁芯材料、磁芯結(jié)構(gòu)和線圈結(jié)構(gòu)的不同電感，其EMI性能結(jié)果也有所不同。僅通過(guò)查看技術(shù)規(guī)格很難判斷哪個(gè)電感的效果最好，但可以在EMI實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行比較。
PCB上電感的安裝方向也很重要。降低開(kāi)關(guān)頻率和減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)銅面積都有助于降低FM頻帶內(nèi)CE。如果DUT是使用控制器（外部MOSFET）的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器電路，則可以通過(guò)降低開(kāi)關(guān)壓擺率和盡可能減小熱回路面積來(lái)進(jìn)一步降低FM頻帶EMI。
參考文獻(xiàn)
1 Ling Jiang、Frank Wang、Keith Szolusha和Kurk Mathews。 "傳導(dǎo)輻射測(cè)試中分離共模和差模輻射的實(shí)用方法。" 模擬對(duì)話，第55卷第1期，2021年1月。
2 Keith Szolusha、Gengyao Li。"SMPS電感的安裝方向會(huì)影響輻射嗎？" emiTime，2020年8月。
3 Ranjith Bramanpalli。 "ANP047：電源管理中電感的電磁輻射行為。" Würth Elektronik，2018年3月。
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