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屏蔽性能指標(biāo)的含義

發(fā)布時(shí)間:2011-02-01

中心議題:
  • 屏蔽性能的指標(biāo)
解決方案:
  • 表面轉(zhuǎn)移阻抗
  • 轉(zhuǎn)移阻抗
  • 耦合衰減
  • 屏蔽系數(shù)
  • 屏蔽耦合損耗

1.表面轉(zhuǎn)移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)

  
按IEC61196-1測試同軸電纜的方法,測試帶屏蔽的平衡電纜,短路8根芯線后用50Ω信號(hào)源激勵(lì)。被測試線長1米,測試頻率30MHz,頻率越高,線長越短導(dǎo)體表面轉(zhuǎn)移阻抗。主要用于評(píng)估連接硬件的屏蔽效率,其實(shí)測值不超過以下計(jì)算值。
  ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
  ZTcable:表面轉(zhuǎn)移阻抗,單位mΩ/m
  f:信號(hào)頻率,單位MHz
  
2.轉(zhuǎn)移阻抗(TransferImpedance)
  

轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關(guān),其數(shù)值可通過實(shí)驗(yàn)室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗,計(jì)算得出。
  


  Ri1=Ri2=50Ω——網(wǎng)絡(luò)分析儀特性阻抗
  R1=50Ω——饋電電阻
  R2=50Ω——終端電阻
  U1=信號(hào)發(fā)射電壓(V)
  U2=信號(hào)接收電壓(V)
  Uc=被測設(shè)備兩端電壓
  Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
  Zt=轉(zhuǎn)移阻抗(Ω)
  Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1
  由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB,轉(zhuǎn)移阻抗(Zt)也可以表示為:
  Zt=100•10α/20(Ω)
  
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
  
耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr:線纜接收功率;Pi:在內(nèi)導(dǎo)體上產(chǎn)生的噪聲功率)
  將電纜近似看作電磁場中的全向天線,其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ:信號(hào)波長,PD:電磁場功率密度)
  內(nèi)部內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Pi=內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z(Vi:內(nèi)導(dǎo)體上的噪聲電壓;Z內(nèi)導(dǎo)體阻抗,50Ω)
  

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4屏蔽系數(shù)(GB54419-1985)
  
按下圖裝置,測試電纜金屬護(hù)套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s=VC/VS(線芯上的感應(yīng)電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。
  

5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
  
GTEM小室饋入功率與被測件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。
  


  
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
  


  采用GTEM小室測量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。
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