【導(dǎo)讀】在構(gòu)建多層陶瓷電容器（MLCC）時(shí)，電氣工程師們通常會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇兩類電介質(zhì)——1類，非鐵電材料介質(zhì)，如C0G/NP0；2類，鐵電材料介質(zhì)，如X5R和X7R。它們之間的關(guān)鍵區(qū)別在于，隨著電壓和溫度的提升，電容是否還具備良好的穩(wěn)定性。
在構(gòu)建多層陶瓷電容器（MLCC）時(shí)，電氣工程師們通常會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇兩類電介質(zhì)——1類，非鐵電材料介質(zhì)，如C0G/NP0；2類，鐵電材料介質(zhì)，如X5R和X7R。它們之間的關(guān)鍵區(qū)別在于，隨著電壓和溫度的提升，電容是否還具備良好的穩(wěn)定性。對(duì)于1類電介質(zhì)，當(dāng)施加直流電壓、工作溫度上升時(shí)，容值保持穩(wěn)定；2類電介質(zhì)具有較高的介電常數(shù)（K），但在溫度、電壓、頻率變化的情況下以及隨著時(shí)間的推移，容值不太穩(wěn)定。
雖然可以通過各類設(shè)計(jì)變更來提高容值，例如改變電極層的表面積、層數(shù)、K值或兩個(gè)電極層之間的距離，但當(dāng)施加直流電壓時(shí)，2類電介質(zhì)的容值最終仍會(huì)急劇下降。這是由于一種叫做直流偏壓現(xiàn)象的存在，導(dǎo)致2類鐵電配方在施加直流電壓時(shí)最終會(huì)出現(xiàn)介電常數(shù)的下降。
對(duì)于較高K值的介質(zhì)材料，直流偏壓的影響可能更嚴(yán)重，電容器有可能損失高達(dá)90%甚至更多的容值，如圖1所示。
圖1. X7R電容的電壓變化曲線
材料的介電強(qiáng)度，即一定厚度的材料所能承受的電壓，也能改變直流偏壓對(duì)電容器的影響。在美國(guó)，介電強(qiáng)度通常以伏特/密耳為單位（1密耳等于0.001英寸），在其他地方則以伏特/微米為單位，它由電介質(zhì)層的厚度決定。因此，具有相同容值和額定電壓的不同電容器由于各自不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其性能表現(xiàn)可能存在較大差異。
值得注意的是，當(dāng)施加的電壓大于材料的介電強(qiáng)度時(shí)，火花將穿過材料，導(dǎo)致潛在的點(diǎn)火或小規(guī)模的爆炸風(fēng)險(xiǎn)。
直流偏壓如何產(chǎn)生的實(shí)際案例
如果把工作電壓導(dǎo)致的容值變化與溫度變化結(jié)合起來考慮，那么我們會(huì)發(fā)現(xiàn)在特定應(yīng)用溫度和直流電壓下，電容的容值損失會(huì)更大。以某X7R材質(zhì)的MLCC為例，其容值為0.1μF，額定電壓為200VDC，內(nèi)部層數(shù)為35，厚度為1.8密耳（0.0018英寸或45.72微米），這意味著在200VDC下工作時(shí)，電介質(zhì)層只經(jīng)歷111伏/密耳或4.4伏/微米。粗略計(jì)算，VC將為-15%。如果電介質(zhì)的溫度系數(shù)為±15%ΔC，VC為-15%ΔC，那么最大的TVC為+15%-30%ΔC。
造成這種變化的原因在于所使用的2類材料的晶體結(jié)構(gòu)——在該案例中為鈦酸鋇（BaTiO3）。該材料在達(dá)到居里溫度或以上時(shí)，具有立方體的晶體結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)溫度恢復(fù)到環(huán)境溫度時(shí)，由于溫度降低使材料的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，就會(huì)發(fā)生極化。極化的發(fā)生不需要任何外部電場(chǎng)或壓力，這被稱為自發(fā)極化或鐵電性。當(dāng)在環(huán)境溫度下對(duì)材料施加直流電壓時(shí)，自發(fā)極化與直流電壓的電場(chǎng)方向相連，并發(fā)生自發(fā)極化的逆轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致容值減少。
如今，即使有了各式各樣的設(shè)計(jì)工具來提高容值，但由于直流偏壓現(xiàn)象的存在，當(dāng)施加直流電壓時(shí)，2類電介質(zhì)的容值仍會(huì)大幅度地降低。因此，為了確保應(yīng)用的長(zhǎng)期可靠性，您選擇MLCC時(shí)，除了需要考慮MLCC的額定容值，還需將直流偏壓對(duì)元件的影響納入考量。
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