你的位置:首頁 > 電路保護(hù) > 正文

英飛凌宣布推出新型 IGBT,針對低開關(guān)頻率范圍進(jìn)行優(yōu)化

發(fā)布時間:2015-02-06 責(zé)任編輯:susan

【導(dǎo)讀】近日,英飛凌科技股份公司宣布推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。此類IGBT 將工作在 50Hz 至 20kHz 下的總功耗成功降至最低水平。這個范圍的開關(guān)頻率常見于不間斷電源 (UPS) 以及光伏逆變器和逆變焊機(jī)中。

由于獲得了在 25°C時典型飽和壓降 (VCE(sat)) 為1.05 V的傲人成績,此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT,使效率在NPC1拓?fù)渲刑嵘哌_(dá) 0.1%,在 NPC 2 拓?fù)渲刑嵘?0.3%。再加上VCE(sat)的溫度系數(shù)為正,保持高效率的同時還能直接并聯(lián)——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業(yè)標(biāo)桿。鑄造新 L5系列靈魂的 TRENCHSTOP5技術(shù),不但能提供無與倫比的低傳導(dǎo)損耗,還能將25℃時的總開關(guān)損耗降至1.6 mJ。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技術(shù),使本來就很低的導(dǎo)通損耗因為載流子結(jié)構(gòu)的優(yōu)化得到了進(jìn)一步降低。
 
綜上所述,在低開關(guān)頻率應(yīng)用場合使用英飛凌新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率,增加可靠性并且縮小系統(tǒng)的尺寸。
 
第一波面世的新L5 IGBT系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO-2473針封裝技術(shù)。此外,為了滿足需要進(jìn)一步增強(qiáng)效率的應(yīng)用場合,英飛凌還提供 TO-247 4針開爾文-發(fā)射極封裝版(Kelvin-Emitter package)的 L5 IGBT。與標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247 3針封裝版相比,TO-247 4針封裝版的開關(guān)損耗減少了 20%。因此,L5與TO-247 4針封裝的結(jié)合,不但創(chuàng)造了終極版低傳導(dǎo)能耗和低開關(guān)損耗成績,還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場提供高度創(chuàng)新并且與眾不同的產(chǎn)品方面的領(lǐng)先地位。
 
配置規(guī)格
新型低飽和壓降L5系列有30A和75A兩種規(guī)格,一種是單IGBT形式,另一種則合裝有英飛凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二極管。TO-247 4針開爾文-發(fā)射極封裝版有75A規(guī)格。
 
要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉