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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2013-01-05 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗,并允許器件工作在較低的溫度下。

阿爾法和歐米茄半導(dǎo)體有限公司宣布推出AON7280和AON7290的最新補(bǔ)充到新的80V和100V AlphaMOS的中壓組合。這些新產(chǎn)品非常適合于廣泛的應(yīng)用,其中包括二次側(cè)同步整流 DC / DC,AC / DC轉(zhuǎn)換器,POL模塊,用于電信系統(tǒng),POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序。

圖1:AON7280和AON7290
圖1:AON7280和AON7290

使用專有的AOS AlphaMOS技術(shù),AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗,并允許器件工作在較低的溫度下。這是不影響開關(guān)性能的兩個(gè)設(shè)備提供最低的RDS * COSS的行業(yè)。這些解決方案被打包在綠色DFN3.3×3.3封裝,電路板空間的關(guān)鍵應(yīng)用提供電路設(shè)計(jì)的靈活性。

“在狹小的空間中構(gòu)建高效的電源解決方案,設(shè)計(jì)人員在更小的 封裝的高性能MOSFET中實(shí)現(xiàn)。”斯蒂芬說。在AOS的高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷張經(jīng)理說:“AON7280和AON7290結(jié)合了高密度AlphaMOS技術(shù),具有結(jié)構(gòu)緊湊DFN3.3×3.3封裝,以滿足設(shè)計(jì)師需求。“

AON7280技術(shù)要點(diǎn)

80V N溝道MOSFET
RDS <8.5毫歐(最大值)在VGS = 10V(最低在行業(yè))
COSS = 265 pF的典型
QG(10V)= 26 NC(典型值)
最低RDS * Qg和數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
最低RDS * COSS數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100%的Rg和UIS測(cè)試

AON7290技術(shù)要點(diǎn)

100V N溝道MOSFET
RDS <12.6毫歐最大VGS = 10V(最低在行業(yè))
COSS = 175 pF的典型
QG(10V)= 26.5 NC(典型值)
最低RDS * COSS數(shù)字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100%的Rg和UIS測(cè)試

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