圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-08-10 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì),以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì),以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。
圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號(hào)在圖1中給出。端子標(biāo)記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu),與市場(chǎng)上的其他耗盡型功率MOSFET(例如高VDSX,大電流和高正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA))相比,具有更好的性能。 )。
圖2顯示了典型的漏極電流(ID)與漏極至源極電壓(V DS)特性(稱為輸出特性)的關(guān)系。它與N通道增強(qiáng)模式功率MOSFET的曲線圖相似,不同之處在于它的VGS電流線為-2 V,-1 V和0V。
圖2 N溝道耗盡型功率MOSFET的輸出特性
導(dǎo)通狀態(tài)漏極電流ID(on)是數(shù)據(jù)手冊(cè)中定義的參數(shù),是當(dāng)柵極至源極之間以特定的漏極至源極電壓(VDS)在漏極與源極之間流動(dòng)的電流電壓(VGS)為零(或短路)。通過施加正柵極-源極(VGS)電壓,該器件可提高電流傳導(dǎo)水平。另一方面,負(fù)柵極至源極(VGS)電壓會(huì)減小漏極電流。如圖2所示,該器件在VGS = -3V時(shí)停止傳導(dǎo)漏極電流。此-3V稱為器件的柵極至源極截止電壓或閾值電壓(VGS(off))。為了確保正確導(dǎo)通,施加的柵極-源極(VGS)電壓應(yīng)接近0V,并且要正確截止,應(yīng)施加比截止電壓(VGS(off))更多的負(fù)VGS電壓。從理論上講
注意,公式(1)是一個(gè)理論公式,在大多數(shù)情況下,它不會(huì)估算出漏極電流的準(zhǔn)確值。VGS(off)的范圍為-4 V至-2 V,ID(on)取決于VGS(off)和溫度。
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