憶阻器是傳說中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實(shí)驗(yàn)階段，但這個(gè)傳說可能將實(shí)現(xiàn)。來自新加坡、美國和印度的國際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器，不只速度快且穩(wěn)定性高，保存資料的時(shí)間更打破原有紀(jì)錄。
憶阻器（Memristor）最早在 1971 年由加州大學(xué)伯克利分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”（Memory）和“電阻器”（Resistor）兩個(gè)字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量 4 項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系，但代表電荷和磁通量之間關(guān)系的元件尚未存在，于是將其命名為憶阻器。
憶阻器的特性在于電阻并不固定，會(huì)因?yàn)橥ㄟ^的電荷不同而改變，當(dāng)電荷不再通過時(shí)，電阻就會(huì)停留在最后通過的值而不再改變。如果電荷是流進(jìn)水管的水，電阻是水管的直徑，憶阻器就像隨著水流大小改變粗細(xì)的水管。如果流過的水量（電荷）大，那水管就會(huì)變粗（電阻增加）；如果流過的水量（電荷）小，那水管就會(huì)變細(xì)（電阻減少）；如果水停了，水管就會(huì)維持最后的直徑。
▲ 電阻器、電容器、電感器和憶阻器概念之間的對稱性。
利用憶阻器的特性來打造存儲(chǔ)器，即使關(guān)閉電源也能保存資料的內(nèi)容，而且能以更小的空間儲(chǔ)存資料，足以取代現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器。此外，憶阻器與人腦神經(jīng)突觸的屬性類似，可能可以幫助模擬人腦的特征，加速人工智能的進(jìn)展。但由于技術(shù)上的困難，憶阻器的概念提出時(shí)只被視為理論上的存在。
2007 年惠普（HP）宣布由 Richard Stanley Williams 率領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出固態(tài)憶阻器，這種憶阻器以無機(jī)二氧化鈦為原料，形成一片雙層薄膜?；萜沾虻乃惚P不僅是利用憶阻器取代快閃存儲(chǔ)器，更想借此打造全新的電腦型態(tài)。雖然惠普曾在 2010 年宣稱將與韓國半導(dǎo)體公司 SK 海力士（SK Hynix）合作，在 2013 年推出憶阻器產(chǎn)品，但始終停留在只聞樓梯響的階段。
由新加坡大學(xué)、印度科學(xué)協(xié)會(huì)（IACS）和耶魯大學(xué)合作的國際團(tuán)隊(duì)選擇有機(jī)物為原料，打造新型的憶阻器。這款憶阻器由過渡金屬釕和有機(jī)材料“azo-aromatic ligands”所組成，而且即使成分有有機(jī)分子卻相當(dāng)穩(wěn)定。新型的有機(jī)憶阻器能在 50 奈秒內(nèi)切換狀態(tài)，并能在無電力狀況下保存資料長達(dá) 11 天。更重要的是，這種有機(jī)憶阻器的原料既不罕見也不危險(xiǎn)，技術(shù)上易于制造且和現(xiàn)有技術(shù)相比，在成本具相當(dāng)競爭力。團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)人 Thirumalai Venky Venkatesan 表示，將尋求工業(yè)合作伙伴，以期發(fā)揮這項(xiàng)材料的功能。
雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間，但以這項(xiàng)憶阻器的容量和特性，如果產(chǎn)品真的成功，將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)，并改變?nèi)藗兊娜粘Ｉ睢?br />
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