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安森美晶閘管浪涌保護(hù)器件
本文主要介紹了一種晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），首先分析得出一個(gè)簡(jiǎn)單的晶閘管的保護(hù)特性是很不對(duì)稱的，為具備對(duì)稱的過壓保護(hù)，提出必須使用兩個(gè)反平行的晶閘管來實(shí)現(xiàn)，即晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），接著分析了它的電流-電壓曲線特性，最后舉例說明TSPD有雙向和單向之分。
2008-10-24
晶閘管浪涌保護(hù)器件 對(duì)稱過壓保護(hù) 安森美
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計(jì) 功率器件 散熱計(jì)算
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軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展
軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)嚴(yán)重，經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國(guó)大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產(chǎn)業(yè)供給進(jìn)入穩(wěn)定狀況。
2008-10-23
軟性印刷電路板 FPC
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PPTC保護(hù)器件及其應(yīng)用
本文主要介紹PPTC保護(hù)器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無線電子產(chǎn)品、電池組、充電器、電源轉(zhuǎn)換器及變壓器中的應(yīng)用。
2008-10-23
PPTC保護(hù)器件 應(yīng)用
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接地電阻測(cè)試儀簡(jiǎn)介
本文介紹了接地電阻測(cè)試儀，接地電阻測(cè)試與發(fā)展。
2008-10-23
接地電阻 測(cè)試儀 鉗式 測(cè)試工具
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在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進(jìn)行ESD保護(hù)
本文介紹了手機(jī)中的ESD保護(hù)部分，ESD在設(shè)計(jì)中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢(shì)、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)中的應(yīng)用，PCB設(shè)計(jì)時(shí)的考慮。
2008-10-23
ESD TVS二極管 PCB設(shè)計(jì)
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江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時(shí)域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時(shí)域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測(cè)試工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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