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用于快速測(cè)試電路信號(hào)響應(yīng)的袖珍型白噪聲發(fā)生器
電路中的噪聲通常都是有害的，任何好電路都應(yīng)該輸出盡可能低的噪聲。盡管如此，在某些情況下，一個(gè)特性明確且沒有其他信號(hào)的噪聲源就是所需的輸出。
2021-06-04
測(cè)試 電路信號(hào) 白噪聲發(fā)生器
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物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備功耗是關(guān)鍵
物聯(lián)網(wǎng)（IoT）儼然已成為會(huì)議、文章和部落格上熱烈討論的一個(gè)話題；其中，絕大部分的探討重點(diǎn)都集中在通訊標(biāo)準(zhǔn)以及資訊和設(shè)備的安全性上。除此之外，至關(guān)重要的一點(diǎn)，便是如何為物聯(lián)網(wǎng)中的大量設(shè)備供電。首先，這值得花點(diǎn)時(shí)間談一談物聯(lián)網(wǎng)的具體組成，并了解物聯(lián)網(wǎng)背后的核心概念－所有值得溝通的事...
2021-06-04
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 功耗
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為什么輸出端共模信號(hào)的影響大于CMRR規(guī)格值？
與差分輸入電路打交道時(shí)，共模抑制比(CMRR)是基本概念，但常常被誤解。使用儀表放大器時(shí)，關(guān)于電路中共模信號(hào)的影響，遇到不正確的期望并不罕見。
2021-06-04
輸出端 共模信號(hào) CMRR 規(guī)格值
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儀表放大器橋接電路誤差預(yù)算分析
在典型應(yīng)用中，有必要了解儀表放大器的誤差源。下圖1所示為一個(gè)350 Ω的稱重傳感器，當(dāng)用10 V源激勵(lì)時(shí)，其滿量程輸出為100 mV。用外部499 Ω增益設(shè)置電阻，將AD620的增益設(shè)為100。表中列出了每種誤差源對(duì)2145 ppm的總非調(diào)整誤差的貢獻(xiàn)。
2021-06-04
儀表放大器 橋接電路 誤差預(yù)算
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驅(qū)動(dòng)高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器
市場對(duì)工業(yè)應(yīng)用的需求與日俱增，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)是其中的關(guān)鍵設(shè)備。它們通常用于檢測(cè)溫度、流量、液位、壓力和其他物理量，隨后將這些物理量對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為高分辨率的數(shù)字信息，再由軟件做進(jìn)一步處理。此類系統(tǒng)對(duì)精度和速度的要求越來越高。這些數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)由放大器電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)組成，...
2021-06-04
驅(qū)動(dòng) 高精度 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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直擊增益范圍：利用儀表放大器獲得多個(gè)增益范圍
為了實(shí)現(xiàn)高精度傳感器測(cè)量動(dòng)態(tài)范圍的最大化，可能需要使用可編程增益儀表放大器(PGIA)。由于大多數(shù)儀表放大器使用外部增益電阻(RG)來設(shè)置增益，似乎通過一組多路復(fù)用增益電阻就可以實(shí)現(xiàn)所需的可編程增益。雖然這是可能的，但在以這種方式將固態(tài)多路復(fù)用器施加于系統(tǒng)之前需要考慮三個(gè)主要問題：電源...
2021-06-04
增益范圍 儀表放大器
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經(jīng)典儀表放大器的新版本提供更高的設(shè)計(jì)靈活性
與傳感器連接時(shí)，儀表放大器(IA)作用強(qiáng)大且功能多樣，但也存在一些限制，會(huì)阻礙可變?cè)鲆鍵A或可編程增益儀表放大器(PGIA)的設(shè)計(jì)。在有些文獻(xiàn)中，后者也被稱為軟件可編程增益放大器(SPGA)。因?yàn)榻?jīng)常遇到要求根據(jù)各種各樣的傳感器或環(huán)境條件調(diào)節(jié)電路的情況，我們需要這類PGIA。采用固定增益時(shí)，系統(tǒng)設(shè)...
2021-06-04
經(jīng)典儀表放大器 新版本 設(shè)計(jì) 靈活性
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旗艦之選，有“龍”則靈：驍龍888為何能獲得超120款終端設(shè)計(jì)青睞 ？
隨著2019年5G商用開啟，短短兩年時(shí)間，中國的5G規(guī)劃意見初見成效，截止今年一季度，5G基站已經(jīng)累計(jì)建成81．9萬座，5G手機(jī)終端用戶連接數(shù)已達(dá)2．85億。中國已初步建成了全球最大規(guī)模的5G移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。
2021-06-03
終端設(shè)計(jì) 驍龍888
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40年ALD積淀助力超越摩爾，思銳智能完成第一階段發(fā)展布局
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種，是...
2021-06-03
ALD 思銳智能
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