【導(dǎo)讀】隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競(jìng)相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開(kāi)發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。
過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開(kāi)關(guān)頻率，不僅可以通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC，尤其是在功率級(jí)別>100kW和使用800V電壓母線的情況下，系統(tǒng)需要一款具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)能力以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。
牽引逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)基于SiC或IGBT的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠在發(fā)生各種故障時(shí)實(shí)現(xiàn)監(jiān)控和保護(hù)。
圖 1：EV 牽引逆變器方框圖
SiC米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)
針對(duì)SiC，柵極驅(qū)動(dòng)器必須盡可能降低包括開(kāi)啟和關(guān)斷能量在內(nèi)的導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。MOSFET 數(shù)據(jù)表包含柵極電荷特性，在開(kāi)通曲線上，有一部分區(qū)域平坦且水平，稱為米勒平臺(tái)，如圖2所示。MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)間耗費(fèi)的時(shí)間越長(zhǎng)，損耗的功率就越多。
圖 2：MOSFET 導(dǎo)通特性和米勒平臺(tái)
當(dāng)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)，柵源電壓 (VGS) 通過(guò)柵源閾值 (VGSTH)，被鉗位于米勒平臺(tái)電壓 (Vplt) 保持不變，因?yàn)殡姾珊碗娙菔枪潭ǖ?。要使MOSFET開(kāi)關(guān)，需要增加或去除足夠的柵極電荷。隔離柵極驅(qū)動(dòng)器必須以大電流驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極，從而增加或去除柵極電荷，進(jìn)而減少功率損耗。通過(guò)公式1對(duì)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器將增加或去除的所需SiC MOSFET電荷進(jìn)行了計(jì)算，表明MOSFET柵極電流與柵極電荷成正比：
其中，IGATE是隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC電流，tSW是MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間。
對(duì)于≥150kW的牽引逆變器應(yīng)用，隔離柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有> 10A的驅(qū)動(dòng)能力，這樣可在米勒平臺(tái)區(qū)域內(nèi)以高壓擺率對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行開(kāi)關(guān)，同時(shí)達(dá)到更高的開(kāi)關(guān)頻率。SiC MOSFET具有較低的反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和在高溫下更穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)速度。MOSFET在米勒平臺(tái)停留的時(shí)間越短，功率損耗和自發(fā)熱就越低。
TI的UCC5870-Q1和UCC5871-Q1是高驅(qū)動(dòng)電流、符合TI功能安全標(biāo)準(zhǔn)的30A柵極驅(qū)動(dòng)器，具有基本隔離或增強(qiáng)隔離等級(jí)功能，以及用于與微控制器進(jìn)行故障通信的SPI串行外設(shè)接口數(shù)字總線。圖3對(duì)UCC5870-Q1和一同類競(jìng)爭(zhēng)柵極驅(qū)動(dòng)器間的SiC MOSFET導(dǎo)通情況進(jìn)行了比較。UCC5870-Q1柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值電流為39A，并在米勒平臺(tái)保持30A的電流，導(dǎo)通速度非?？?。通過(guò)比較兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器之間的藍(lán)色VGATE波形斜率，也可明顯看出其導(dǎo)通速度更快。米勒平臺(tái)電壓為10V時(shí)，UCC5870-Q1的柵極驅(qū)動(dòng)器電流為 30A，而同類競(jìng)爭(zhēng)器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電流為8A。
圖 3：比較TI的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與同類競(jìng)爭(zhēng)器件在導(dǎo)通SiC MOSFET方面的情況
隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗來(lái)源
對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器米勒平臺(tái)的比較也涉及柵極驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)損耗，如圖4所示。通過(guò)比較發(fā)現(xiàn)，驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)損耗差異高達(dá)0.6W。開(kāi)關(guān)損耗是逆變器總體功率損耗的重要部分，因此，很有必要使用大電流柵極驅(qū)動(dòng)器。
圖 4：柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率之間的關(guān)系
熱耗散
功率損耗會(huì)導(dǎo)致溫度升高，因此需要使用外部散熱器或更厚的印刷電路板 (PCB) 銅層，這會(huì)使系統(tǒng)熱管理問(wèn)題變得更加復(fù)雜。高驅(qū)動(dòng)力有助于降低柵極驅(qū)動(dòng)器的管殼溫度，因此不需要成本很高的散熱器或額外的PCB接地層來(lái)降低柵極驅(qū)動(dòng)器的IC溫度。在圖5所示的熱圖像中，由于UCC5870-Q1的開(kāi)關(guān)損耗較低，且在米勒平臺(tái)的驅(qū)動(dòng)電流較高，因此其運(yùn)行溫度降低了15℃。
圖 5：UCC5870-Q1和同類競(jìng)爭(zhēng)柵極驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)SiC FET方面的熱耗散
結(jié)語(yǔ)
隨著EV牽引逆變器的功率增至150kW以上，選擇在米勒平臺(tái)區(qū)域具有超高驅(qū)動(dòng)能力的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可減少SiC MOSFET的功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)頻率，從而提高效率，增加全新EV車型的行駛里程。同時(shí)，TI符合功能安全標(biāo)準(zhǔn)的UCC5870-Q1和UCC5871-Q1 30A 柵極驅(qū)動(dòng)器提供了大量設(shè)計(jì)支持工具來(lái)幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
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