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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量

發(fā)布時間:2022-06-21 來源:可靠性技術(shù)交流 責任編輯:wenwei

【導讀】IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。


IGB模塊原理電路分析


IGBT模塊有三個端子,分別是G,D,S,在G和S兩端加上電壓后,內(nèi)部的電子發(fā)生轉(zhuǎn)移(半導體材料的特點,這也是為什么用半導體材料做電力電子開關(guān)的原因),本來是正離子和負離子一一對應(yīng),半導體材料呈中性,但是加上電壓后,電子在電壓的作用下,累積到一邊,形成了一層導電溝道,因為電子是可以導電的,變成了導體。如果撤掉加在GS兩端的電壓,這層導電的溝道就消失了,就不可以導電了,變成了絕緣體。


若在IGB模塊T的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。


由此可見,IGBT模塊在依照我們國內(nèi)的技術(shù)也可能沒有達到市場的一般,我國的IGBT模塊依然是依賴進口滿足市場。


變頻器IGBT模塊常見故障處理


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變頻器由主回路、電源回路、IGBT驅(qū)動及保護回路、冷卻風扇等幾部分組成。其結(jié)構(gòu)多為單元化或模塊化形式。由于使用方法不正確或設(shè)置環(huán)境不合理,將容易造成變頻器誤動作及發(fā)生故障,或者無法滿足預期的運行效果。為防患于未然,事先對故障原因進行認真分析尤為重要。


1、主回路常見故障分析


主回路主要由三相或單相整流橋、平滑電容器、濾波電容器、IGBT逆變橋、限流電阻、接觸器等元件組成。其中許多常見故障是由電解電容引起。電解電容的壽命主要由加在其兩端的直流電壓和內(nèi)部溫度所決定,在回路設(shè)計時已經(jīng)選定了電容器的型號,所以內(nèi)部的溫度對電解電容器的壽命起決定作用。因此一方面在安裝時要考慮適當?shù)沫h(huán)境溫度,另一方面可以采取措施減少脈動電流。采用改善功率因數(shù)的交流或直流電抗器可以減少脈動電流,從而延長電解電容器的壽命。


在電容器維護時,通常以比較容易測量的靜電容量來判斷電解電容器的劣化情況,當靜電容量低于額定值的80%,絕緣阻抗在5MΩ以下時,應(yīng)考慮更換電解電容器。


2、主回路典型故障分析


故障現(xiàn)象:變頻器在加速、減速或正常運行時出現(xiàn)過電流跳閘。


洛陽變頻器銷售首先應(yīng)區(qū)分是由于負載原因,還是變頻器的原因引起的。如果是變頻器的故障,可通過歷史記錄查詢在跳閘時的電流,超過了變頻器的額定電流或電子熱繼電器的設(shè)定值,而三相電壓和電流是平衡的,則應(yīng)考慮是否有過載或突變,如電機堵轉(zhuǎn)等。在負載慣性較大時,可適當延長加速時間,此過程對變頻器本身并無損壞。若跳閘時的電流,在變頻器的額定電流或在電子熱繼電器的設(shè)定范圍內(nèi),可判斷是IGBT模塊或相關(guān)部分發(fā)生故障。首先可以通過測量變頻器的主回路輸出端子U、V、W,分別與直流側(cè)的P、N端子之間的正反向電阻,來判斷IGBT模塊是否損壞。如模塊未損壞,則是驅(qū)動電路出了故障。如果減速時IGBT模塊過流或變頻器對地短路跳閘,一般是逆變器的上半橋的模塊或其驅(qū)動電路故障;而加速時IGBT模塊過流,則是下半橋的模塊或其驅(qū)動電路部分故障,發(fā)生這些故障的原因,多是由于外部灰塵進入變頻器內(nèi)部或環(huán)境潮濕引起。


3、控制回路故障分析


控制回路影響變頻器壽命的是電源部分,是平滑電容器和IGBT電路板中的緩沖電容器,其原理與前述相同,但這里的電容器中通過的脈動電流,是基本不受主回路負載影響的定值,故其壽命主要由溫度和通電時間決定。由于電容器都焊接在電路板上,通過測量靜電容量來判斷劣化情況比較困難,一般根據(jù)電容器環(huán)境溫度以及使用時間,來推算是否接近其使用壽命。


電源電路板給控制回路、IGBT驅(qū)動電路和表面操作顯示板以及風扇等提供電源,這些電源一般都是從主電路輸出的直流電壓,通過開關(guān)電源再分別整流而得到的。因此,某一路電源短路,除了本路的整流電路受損外,還可能影響其他部分的電源,如由于誤操作而使控制電源與公共接地短接,致使電源電路板上開關(guān)電源部分損壞,風扇電源的短路導致其他電源斷電等。一般通過觀察電源電路板就比較容易發(fā)現(xiàn)。


邏輯控制電路板是變頻器的核心,它集中了CPU、MPU、RAM、EEPROM等大規(guī)模集成電路,具有很高的可靠性,本身出現(xiàn)故障的概率很小,但有時會因開機而使全部控制端子同時閉合,導致變頻器出現(xiàn)EEPROM故障,這只要對EEPROM重新復位就可以了。


IGBT電路板包含驅(qū)動和緩沖電路,以及過電壓、缺相等保護電路。從邏輯控制板來的PWM信號,通過光耦合將電壓驅(qū)動信號輸入IGBT模塊,因而在檢測??斓耐瑫r,還應(yīng)測量IGBT模塊上的光耦。


4、冷卻系統(tǒng)


冷卻系統(tǒng)主要包括散熱片和冷卻風扇。其中冷卻風扇壽命較短,臨近使用壽命時,風扇產(chǎn)生震動,噪聲增大最后停轉(zhuǎn),變頻器出現(xiàn)IGBT過熱跳閘。冷卻風扇的壽命受陷于軸承,大約為10000~35000h。當變頻器連續(xù)運轉(zhuǎn)時,需要2~3年更換一次風扇或軸承。為了延長風扇的壽命,一些產(chǎn)品的風扇只在變頻器運轉(zhuǎn)時而不是電源開啟時運行。


5、外部的電磁感應(yīng)干擾


洛陽變頻器銷售如果變頻器周圍存在干擾源,它們將通過輻射或電源線侵入變頻器的內(nèi)部,引起控制回路誤動作,造成工作不正?;蛲C,嚴重時甚至損壞變頻器。減少噪聲干擾的具體方法有:變頻器周圍所有繼電器、接觸器的控制線圈上,加裝防止沖擊電壓的吸收裝置,如RC浪涌吸收器,其接線不能超過20cm;盡量縮短控制回路的5mm以上,與主回路保持10cm以上的間距;變頻器距離電動機很遠時(超過100m),這時一方面可加大導線截面面積,保證線路壓降在2%以內(nèi),同時應(yīng)加裝變頻器輸出電抗器,用來補償因長距離導線產(chǎn)生的分布電容的充電電流。變頻器接地端子應(yīng)按規(guī)定進行接地,必須在專用接地點可靠接地,不能同電焊、動力接地混用;變頻器輸入端安裝無線電噪聲濾波器,減少輸入高次諧波,從而可降低從電源線到電子設(shè)備的噪聲影響;同時在變頻器的輸出端也安裝無線電噪聲濾波器,以降低其輸出端的線路噪聲。


變頻器IGBT模塊檢測方法


1、判斷極性


首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。


2、判斷好壞


將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被阻斷,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。


3、檢測注意事項


任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。


變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測量


變頻器所用IGBT模塊為七單元一體化模塊(型號為FP15R12KE3G),即三單元整流、三單元逆變和一單元制動。自帶模塊溫度自檢單元。用萬用表的二極管檔測量。


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FP15R12KE3G模塊實物圖


1、整流橋的靜態(tài)測量


三相橋式整流電氣原理圖見圖,測量方法同普通二極管,詳見第二章第二節(jié)相關(guān)內(nèi)容。整流單元測量參考數(shù)據(jù)見表1.1。


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1.1.2三相橋式整流和IGBT電氣原理圖


2、逆變續(xù)流二極管的靜態(tài)測量


逆變單元電氣原理圖見圖1.1.2,測量方法同普通二極管。一般情況下,可通過測量IGBT的續(xù)流二極管判斷其損壞情況,數(shù)據(jù)參考表1.1.3。


3、制動單元的靜態(tài)測量


制動單元原理圖見圖1.1.3。


圖中BRK為制動觸發(fā)端。根據(jù)使用環(huán)境,用戶可在端子P和PB之間接制動電阻,電阻規(guī)格的選取參考KVFC+系列變頻器用戶手冊,此處不再贅述。


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圖1.1.3 制動單元電氣原理圖


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表1.1 七單元IGBT測量參考值


快速測量模塊小技巧:放在P端子上的表筆不動,另一表筆分別測量R、S、T、PB、U、V、W、N,再對照上表中的參考數(shù)值,判斷其正常與否。實際測量的數(shù)值在與表中的范圍或差距別不大即算正常。見圖1.1.4。


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來源:網(wǎng)絡(luò)(僅供學習 侵刪)

圖1.1.4IGBT測量過程及結(jié)果


來源:可靠性技術(shù)交流



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