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蘇聯(lián)早期生成的三極管

發(fā)布時間:2022-01-14 來源:TsinghuaJoking 責任編輯:wenwei

【導讀】本文介紹了早期 蘇聯(lián)晶體三極管[1] 的外觀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。這些內(nèi)容可以幫助我們對晶體三極管工作原理產(chǎn)生直觀印象。對于上個世紀出生的人來說,這些都是滿滿的回憶,也見證電子學是如何從電子管過渡到晶體管時代的。


01 早期蘇聯(lián)晶體管


27.jpg

圖1  早期的蘇聯(lián)批量生產(chǎn)的晶體三極管


●    本文翻譯自:First transistors USSR[2]

●    參考文件:[2] : http://www.155la3.ru/aktiv.htm


1.1 點接觸三極管


這是前蘇聯(lián)第一個晶體三極管系列,其中沒有包括被長久使用過的KC1-KC8(1959),他們屬于P-N-P點接觸鍺三極管 C1、C2(1954-1960)。不算上引腳,晶體管機械參數(shù):


? ●  晶體管機械參數(shù): 


???長度:12mm 

???直徑:4mm 

???重量:2g

??

仔細看會發(fā)現(xiàn)這些三極管從外觀上看很像常見到的鋁電解電容,如果不是上面印制器件型號很難把它們與通常具有三個管腳的晶體三極管聯(lián)系起來。


28.jpg

圖2 鍺晶體三極管

??

下面是原展示網(wǎng)站將該三極管外殼打開逐步展現(xiàn)其中的結(jié)構(gòu)。

??

去掉鋁殼之后,可以看到其中的金屬圓柱以及內(nèi)部的半導體芯片。這說明最外面的鋁板僅僅起到加固作用,保護內(nèi)部銅質(zhì)圓柱體。


29.jpg

圖3 去掉鋁殼之后,可以看到其中的金屬圓柱以及內(nèi)部的半導體芯片

??

通過銅柱上的圓孔可以看到內(nèi)部隱藏著半導體芯片以及兩個對外的引腳。


30.jpg

圖4 關(guān)鍵的半導體鍺片深藏在圓柱體內(nèi)部

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半導體內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及俄文說明書:


31.jpg

圖5 半導體內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及俄文說明書

??

與蘇聯(lián)C1,C2晶體管對應的美國西電公司生產(chǎn)的2N25(1953)也是點接觸P-N-P型三極管,CS結(jié)構(gòu)上來看他們很相似,但2N25僅僅使用一個塑料環(huán)來封閉金屬孔,因此重量輕了1克。


? ●  2N25機械參數(shù): 


???長度:12mm

???直徑:5.5mm

???重量:1g


32.jpg

圖1.6 美國西電公司的2N25晶體管


33.jpg

圖1.7 密封金屬孔的塑料環(huán)以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)


1.2 結(jié)型三極管


P1、P2是第一款民品結(jié)型鍺三極管(1955-1960),它的機械尺寸:


? ●  結(jié)型三極管機械尺寸: 


???長度:19mm

???直徑:9mm

???重量:2.5g

???引腳長度:30mm


34.jpg

圖1.2.1 結(jié)型鍺晶體三極管


1642075141356480.jpg

圖1.2.2 鍺三極管說明書


1.3 平面功率三極管


P3是蘇聯(lián)第一代功率三極管。


? ●  功率三極管參數(shù): 


???長:24mm

???直徑:27mm

???核心直徑:25mm

???重量:8g


36.jpg

圖1.3.1 平面功率三極管


37.jpg

圖1.3.2  功率三極管的說明書

??

P4BE 是一款10瓦的功率平面P-N-P型鍺三極管,大約在1957出品。


? ●  大功率三極管P4BE尺寸: 


???直徑:30mm

???高度:9mm(不帶引腳)

???重量:14g


38.jpg

圖1.3.3 P4BE功率三極管


39.jpg

圖1.3.4 P4BE功率三極管的固定散熱面


1.4 微波管


P411A是鍺擴散微波晶體三極管,屬于P-N-P型,1959年生產(chǎn),它具有非常奇異的外形設計。


40.jpg

圖1.4.1 P411A微波三極管


1.5 硅三極管


P309是在上個世紀60年代生產(chǎn)的硅 N-P-N型三極管,一直持續(xù)到近期才被其它型號替代。下圖中的P309是在1964 與1985年生產(chǎn)的型號。


? ●  硅三極管尺寸: 


???高度:11mm

???直徑:10mm(加上外緣:13mm)

???重量:2g


41.jpg

圖1.5.1 上個世紀60年代和80年代生產(chǎn)的P309硅三極管


02 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)


2.1 物理結(jié)構(gòu)


下面是1959年生產(chǎn)的P-N-P型鍺三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。原文作者將他手中唯一保留的三極管金屬外殼打開對其結(jié)構(gòu)設計一探究竟。

??

下面是P16型 P-N-P型鍺三極管,生產(chǎn)于1959年。


42.jpg

圖2.1.1 P-N-P 鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)

??

GT310B P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu):


43.jpg

圖2.1.2 GT310B P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)

??

GT402A 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu):


44.jpg

圖2.1.3 GT402A P-N-P鍺三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)

??

2SB257(60年)鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu):


45.jpg

圖2.1.4 2SB257 鍺晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)

??

OC38 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu):


46.jpg

圖2.5 OC38 鍺P-N-P型三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)

??

下面是OC71A三極管,在1954年出品。它的外殼設計非常特別:是玻璃外殼,內(nèi)部填充有保護膠質(zhì)。


47.jpg

圖2.6 OC71A 晶體三極管:帶有玻璃外殼

??

將玻璃外殼黑色保護漆去除,顯露其內(nèi)部的芯片以及填充的保護膠。


48.jpg

圖2.7 OC71A 晶體三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)


2.2 晶體二極管


49.jpg

圖2.2.1 晶體二極管結(jié)構(gòu)


50.jpg

圖2.2.2 晶體二極管結(jié)構(gòu)


2.3 結(jié)構(gòu)原理圖


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圖2.2.3  點接觸晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)


1642074949552974.jpg

圖2.2.4  點接觸晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)


53.png

圖2.3.3 晶體二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)


※ 總??結(jié) ※


本文介紹了早期 蘇聯(lián)晶體三極管[2] 的外觀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。這些內(nèi)容可以幫助我們對晶體三極管工作原理產(chǎn)生直觀印象。對于上個世紀出生的人來說,這些都是滿滿的回憶,也見證電子學是如何從電子管過渡到晶體管時代的。

        

從過去看未來,從現(xiàn)在亦可以改變未來。


參考資料


[1]蘇聯(lián)晶體三極管: http://vintage-technics.ru/Eng-First_transistors_ussr.htm

[2]參考文件:: http://www.155la3.ru/aktiv.htm



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