JBS結構降低泄漏電流（I_R）

 

SBD是由半導體與金屬的接合形成的。由于半導體和金屬之間的勢壘不同，它起著二極管的作用。由于半導體-金屬界面上的分子結構可能是不連續(xù)的，因此可能會出現(xiàn)表面不規(guī)則、晶體缺陷或其它異常現(xiàn)象。當強電場作用于含有這些缺陷的半導體-金屬界面時，會有所謂的泄漏電流（I_R）流動。

在具有傳統(tǒng)結構的SBD中，耗盡區(qū)延伸到半導體側（如下所示），導致電荷（或電子）產(chǎn)生的電場在半導體-金屬界面處最強。

 

相反，在JBS二極管中，耗盡區(qū)延伸于部分埋在半導體表面下的p和n^-區(qū)之間。當反向偏壓增大時，p型耗盡區(qū)相互穿插，最大電場位置直接移動到p區(qū)下面。這會減少可能存在缺陷的表面上的電場，從而減少泄漏電流。

 

傳統(tǒng)結構的SBD

 

JBS SBD

 

集成PiN肖特基（MPS）結構提高浪涌電流能力

 

當傳統(tǒng)的SBD正向偏置時，電流流過以下路徑：金屬 → 肖特基勢壘 → Si （n^-） → Si（n⁺）。由于摻雜濃度較低，Si（n^-）層電阻較大。因此，此SBD的I_F-V_F曲線如下所示。
 

SiC SBD的應用包括PFC電路，PFC電路必須保證在大電流下工作，因為它們在電源接通和負載變化時都會瞬間暴露在大電流條件下。在這種情況下，具有如下所示的I_F-V_F曲線的SBD可能發(fā)生過熱現(xiàn)象。

 

通過傳統(tǒng)SBD的電流

 

傳統(tǒng)SBD的I_F-V_F曲線

 

為了解決這個問題，東芝開發(fā)了一種新的SBD，它采用改進的JBS結構，其中包含了集成PiN-肖特基（MPS）結構的概念。MPS結構是其p⁺區(qū)埋在SBD的n^-區(qū)中，如下所示。在東芝的設計中，JBS結構的部分p層（圖中陰影部分）被放大，這部分的雜質(zhì)濃度增加。p⁺區(qū)和n^-區(qū)形成一個pn結二極管，在需要大電流（浪涌電流）時打開。這增加了SBD的載流能力，因此即使在大電流下也能降低正向電壓的升高，并增加最大允許浪涌電流值。

 

MPS結構的特點是在陽極電極下方的p⁺–n^-–n⁺結構。

 

在低電流下，n^-區(qū)通常具有高電阻。然而，當SBD正向偏壓時，空穴和電子分別從p區(qū)和n區(qū)流入n^-區(qū)，同時保持電中性。在這個時候，空穴和電子都存在于高濃度的n^-區(qū)內(nèi)。因此，n^-區(qū)將作為高摻雜濃度區(qū)域，特別是在高電流下，表現(xiàn)出非常低的電阻（傳導性調(diào)制）。因此，該SBD具有如下所示的I_F-V_F曲線，在高電流區(qū)域具有低V_F。

 

 

文章轉載自：東芝

 

 

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