3相逆變級(jí)

 

3相逆變級(jí)的主要器件是逆變器里的每一相里的半橋開(kāi)關(guān)里的高邊和低邊開(kāi)關(guān)以及相應(yīng)的高隔離電壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，開(kāi)通和關(guān)斷那些開(kāi)關(guān)產(chǎn)生3相交流正弦波形使感應(yīng)電機(jī)運(yùn)行。采用微處理器配置的變頻驅(qū)動(dòng)控制算法管理每個(gè)逆變器相的高邊和低邊開(kāi)關(guān)控制。  

 

主驅(qū)逆變器通常采用400 V（HVL1）或800 V（HVL2）的高壓電池系統(tǒng)，后者在最新設(shè)計(jì)中日益流行。這些系統(tǒng)要求功率半導(dǎo)體器件的最高工作電壓在600 V至750 V范圍內(nèi)，或900 V至1200 V范圍內(nèi)，分別對(duì)應(yīng)HVL1或HVL2。要求功率逆變器在每相400 A至1000 A范圍內(nèi)的電流水平下處理大量功率。為此，一些制造商把分立的封裝器件并聯(lián)，而多數(shù)使用功率集成模塊(PIM)。安森美半導(dǎo)體提供分立的IGBT、碳化硅（SiC）MOSFET和創(chuàng)新的VE-Trac系列PIM，以及IGBT和快速恢復(fù)二極管的裸芯片，構(gòu)建主驅(qū)逆變器相。所有這些方案都可以與高壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)器接口。

 

安森美半導(dǎo)體的高壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)除了提供用于隔離高壓系統(tǒng)與低壓系統(tǒng)的電氣隔離（galvanic isolation）之外，還有一個(gè)關(guān)鍵特性是去飽和（DESAT）檢測(cè)特性，可防止IGBT短路條件下的“擊穿”效應(yīng)。此外，還具有米勒鉗位功能，防止其中一個(gè)開(kāi)關(guān)意外導(dǎo)通。且為了增強(qiáng)保護(hù)，還具有故障指示功能，以通知系統(tǒng)故障且使能輸入。

 

安森美半導(dǎo)體的經(jīng)AECQ-101認(rèn)證的分立IGBT器件，具有出色的熱性能和電性能。由于IGBT具有極低的VCE（sat）和門(mén)極電荷，因此可將導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降至最低，從而實(shí)現(xiàn)高能效運(yùn)行。安森美半導(dǎo)體的IGBT與快速反向恢復(fù)二極管共同封裝，并采用具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的場(chǎng)截止溝槽技術(shù)進(jìn)行構(gòu)建，該技術(shù)采用了精細(xì)的單元間距設(shè)計(jì)以創(chuàng)建高功率密度器件，并具有穩(wěn)定的抗動(dòng)態(tài)閂鎖條件的特性。根據(jù)電機(jī)的功率要求，可以在逆變器每個(gè)半橋上的相應(yīng)的高邊和低邊開(kāi)關(guān)上并聯(lián)多個(gè)IGBT。

 

安森美半導(dǎo)體的VE-Trac系列PIM，提供同類(lèi)最佳的電氣和熱性能，支持兩個(gè)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)平臺(tái)：VE-Trac™Dual和VE-Trac™Direct。

 

VE-Trac Dual結(jié)合雙面散熱 （DSC）半橋模塊，在緊湊的占位內(nèi)堆疊和擴(kuò)展，提供一個(gè)小占位的平臺(tái)方案適用于從80 kW到300 kW應(yīng)用。該平臺(tái)的首個(gè)器件是NVG800A75L4DSC，該模塊的額定電壓750 V，額定電流800 A，是現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)器件容量的兩倍。高效的雙面散熱確保領(lǐng)先市場(chǎng)的熱性能，該模塊中沒(méi)有任何綁定線(xiàn)，使其額定壽命加倍。NVG800A75L4DSC是符合AQG-324認(rèn)證的模塊，含嵌入式智能IGBT，對(duì)集成了過(guò)流和過(guò)溫保護(hù)功能，提供更快的保護(hù)響應(yīng)時(shí)間，因而提供更強(qiáng)固的整體方案。安森美半導(dǎo)體將在未來(lái)數(shù)月推出 VE-Trac Dual平臺(tái)內(nèi)具有更高電壓和各種電流水平選項(xiàng)的其它器件，以應(yīng)對(duì)各種新興應(yīng)用。

 

圖2：VE-Trac Dual PIM

 

VE-Trac Direct平臺(tái)提供同類(lèi)最佳的性能和優(yōu)勢(shì)，包括采用直接冷卻實(shí)現(xiàn)出色的熱性能。該平臺(tái)的首個(gè)器件是符合AQG-324認(rèn)證的NVH820S75L4SPB。該器件采用six-pack架構(gòu)封裝，已獲汽車(chē)整車(chē)廠(chǎng)商（OEM）和系統(tǒng)供應(yīng)商廣泛認(rèn)可并采用。這將支持多源供應(yīng)，最小化布局更改。 由于可提供多種功率等級(jí)，VE-Trac Direct平臺(tái)將為不同的汽車(chē)平臺(tái)和應(yīng)用提供簡(jiǎn)單、快速的功率調(diào)整。

 

VE-Trac Dual和VE-Trac Direct平臺(tái)都能夠在最高175ºC的結(jié)溫下連續(xù)工作，能在模塊化方案的緊湊封裝內(nèi)提供更高的功率。

 

對(duì)于800V電池電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)，可以將采用D2PAK-7L和TO-247封裝的1200V、20mΩ、80mΩ SiC MOSFET插入3個(gè)逆變器每個(gè)半橋上的高邊和低邊開(kāi)關(guān)中。 SiC MOSFET提供優(yōu)于硅的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性，具有低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門(mén)極電荷。這些特性帶來(lái)了系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，包括高能效、快速工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾（EMI）以及減小占位的便利性。

 

安森美半導(dǎo)體提供專(zhuān)為主驅(qū)逆變器應(yīng)用而優(yōu)化的二極管和IGBT裸片，能在175°C的溫度下連續(xù)運(yùn)行，具有較低的VCE（sat）和正向電壓（VF），具有增強(qiáng)的可靠性和魯棒性。

 

信號(hào)處理和調(diào)節(jié)

 

模擬測(cè)量和信號(hào)調(diào)節(jié)模塊的主要功能是處理來(lái)自逆變器的電流和溫度檢測(cè)信號(hào)以及來(lái)自感應(yīng)電機(jī)的電流和電機(jī)位置檢測(cè)信號(hào)。使用諧振和反激控制器構(gòu)造的隔離電源可以為微控制器、信號(hào)調(diào)節(jié)和模擬測(cè)量電路提供電源。安森美半導(dǎo)體提供符合AECQ的邏輯組件、比較器、運(yùn)算放大器和電流檢測(cè)放大器，以構(gòu)建信號(hào)處理電路，與微控制器模數(shù)轉(zhuǎn)換器單元接口，從而構(gòu)成閉環(huán)系統(tǒng)。

 

通信總線(xiàn)

 

安森美半導(dǎo)體提供基于CAN、CAN-FD、LIN、Flexray和系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）的收發(fā)器，可確保以超過(guò)1 Mbps的數(shù)據(jù)速率進(jìn)行可靠定的車(chē)載通信，以滿(mǎn)足現(xiàn)代車(chē)載網(wǎng)絡(luò)的要求。此外，安森美半導(dǎo)體還提供AECQ-101認(rèn)證的通信總線(xiàn)保護(hù)器件，結(jié)溫最大值為175°C，以保護(hù)車(chē)輛通信線(xiàn)路免受靜電放電（ESD）和其他有害瞬態(tài)電壓事件的影響。這些器件為每條數(shù)據(jù)線(xiàn)路提供雙向保護(hù)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提高系統(tǒng)可靠性并滿(mǎn)足嚴(yán)格的EMI要求提供了具成本優(yōu)勢(shì)的選擇。

 

評(píng)估套件

 

為便于設(shè)計(jì)人員在開(kāi)發(fā)主驅(qū)逆變器的早期階段分別評(píng)估VE-Trac Dual模塊和VE-Trac Direct電源模塊的性能，安森美半導(dǎo)體提供VE-Trac Dual評(píng)估套件NVG800A75L4DSC-EVK和VE-Trac Direct評(píng)估套件NVH820S75L4SPB-EVK，可用作雙脈沖測(cè)試用以測(cè)量關(guān)鍵的開(kāi)關(guān)參數(shù)，或用作電機(jī)控制的3相逆變器，功率達(dá)150 kW。

 

VE-Trac Dual評(píng)估套件含三個(gè)VE-Trac Dual電源模塊，貼裝在雙側(cè)冷卻散熱器上，配有6通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)板、直流母線(xiàn)電容器和用于電機(jī)控制的外置霍爾效應(yīng)電流檢測(cè)反饋，不含脈寬調(diào)制（PWM）控制器。其特性如下：

 

·        集成800A，750V第4代場(chǎng)截止（FS4）IGBT/二極管芯片組

 

·        汽車(chē)級(jí)隔離型大電流、高能效IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置電氣隔離NCV57000/1

 

·        電源模塊中的片上電流檢測(cè)功能實(shí)現(xiàn)更快更簡(jiǎn)單的過(guò)流保護(hù)（OCP）

 

·        在電源模塊中集成了片上溫度感測(cè)功能，從而實(shí)現(xiàn)了更快，更接近真正的Tvj過(guò)溫保護(hù)（OTP）

 

·        定制設(shè)計(jì)的雙面散熱器提供低壓降，及出色的熱性能

 

·        定制的薄膜直流母線(xiàn)電容器，額定值達(dá)500 VDC，500 uF

 

·   

 

圖3：VE-Trac Dual評(píng)估套件

 

VE-Trac Direct評(píng)估套件含一個(gè)VE-Trac Direct電源模塊，貼裝在冷卻套中，配有6通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器板、直流母線(xiàn)電容器，不含PWM控制器或外部電流檢測(cè)器。其特性如下：

 

·        集成820 A, 750V FS4 IGBT/二極管芯片組和直接冷卻特性

 

·        汽車(chē)級(jí)隔離型大電流、高能效IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置電氣隔離NCV57000/1

 

·        薄膜直流母線(xiàn)電容器，額定值達(dá)500VDC，500 uF

 

圖4： VE-Trac Direct評(píng)估套件

 

 

 

產(chǎn)品推薦列表

 

 

總結(jié)

 

設(shè)計(jì)電動(dòng)動(dòng)力總成的挑戰(zhàn)之一是電池提供直流電，而主驅(qū)電機(jī)需要交流電。因此，主驅(qū)逆變器是動(dòng)力總成的關(guān)鍵部分。元器件選擇不當(dāng)或設(shè)計(jì)不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致逆變器能效低或尺寸大（或兩者兼而有之），這將不利于車(chē)輛行駛更遠(yuǎn)的里程，必須仔細(xì)評(píng)估導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，以實(shí)現(xiàn)車(chē)輛的目標(biāo)傳動(dòng)系統(tǒng)性能。安森美半導(dǎo)體提供高能效、強(qiáng)固且具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主驅(qū)逆變器方案及先進(jìn)的封裝技術(shù)，包括分立功率器件、隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和擴(kuò)展的模塊方案，以及寬禁帶方案，并持續(xù)創(chuàng)新，以解決設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，為迅速增長(zhǎng)的主驅(qū)逆變器市場(chǎng)提供可擴(kuò)展性和汽車(chē)可靠性，推動(dòng)電動(dòng)動(dòng)力總成的快速發(fā)展和采用。

 

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

 

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）致力于推動(dòng)高能效電子的創(chuàng)新，使客戶(hù)能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時(shí)序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片（SoC）及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國(guó)防應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司運(yùn)營(yíng)敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目，一套強(qiáng)有力的守法和道德規(guī)范計(jì)劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。

 

 

推薦閱讀：