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基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)

發(fā)布時間:2018-10-25 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】當(dāng)前移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場正經(jīng)歷著史無前例的高速增長。盡管數(shù)字電路在摩爾定律的驅(qū)動下繼續(xù)增加著集成度,但射頻電路卻無法按相同比例減小尺寸。因此射頻電路尤其是無源器件部分的進(jìn)一步集成,已經(jīng)日益成為系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵。為了滿足不斷增長的需求、減小尺寸和成本、增加功能,集成無源器件(IPD)技術(shù)已成為射頻前端設(shè)計的一種可行性技術(shù)?,F(xiàn)如今,它已經(jīng)從低溫共燒陶瓷(LTCC)發(fā)展到薄膜技術(shù),例如使用高阻硅(HRSi)或玻璃基板。
 
近來,玻璃通孔技術(shù)被視為實(shí)現(xiàn)集成、低成本和高性能無源器件最有前途的技術(shù)之一。與二維平面電感相比,采用TGV結(jié)構(gòu)的三維電感具有更好的品質(zhì)因數(shù)。與硅相比,玻璃的介電常數(shù)較低,電阻率較高,因而具有較好的高頻性能。諸如使用TGV構(gòu)建的濾波器和雙工器之類的無源器件,在確保較小的帶內(nèi)插損和較大的帶外抑制能力的同時,還能在尺寸上做小。
 
本文將通過比較TGV電感與LTCC、HRSi和玻璃基板上的電感來演示TGV的性能,并在系統(tǒng)層次上也進(jìn)行了類似的比較。利用TGV、LTCC、HRSi和玻璃,我們分別設(shè)計了一種載波聚合(CA)雙工器,從而比較它們的性能,如IL、隔離和抑制。我們還將并從TGV工藝角度研究TGV性能的進(jìn)一步提高的可能性。
 
 
電感在TGV、LTCC、HRSi和玻璃下的比較
 
電感分別采用LTCC、TGV、平面HRSi和平面玻璃進(jìn)行了設(shè)計。為了公平比較,我們制作了三組電感,每組具有相同的電感值和尺寸。如表1所示,TGV電感在品質(zhì)因數(shù)(Q)和自諧振頻率(SRF)方面具有最佳性能。
 
基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)
表1 電感性能比較
 
基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)
表2 電感性能示意圖
 
TGV、LTCC、HRSi和玻璃雙工器的比較
 
載波聚合是有效利用頻譜并擴(kuò)展數(shù)據(jù)帶寬的重要技術(shù)。越來越多的頻譜被聚合,包括ISM頻段,以進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)吞吐量。這給射頻前端在這些分離的頻帶上同時運(yùn)行帶來了挑戰(zhàn)。多路復(fù)用天線是讓緊湊型射頻前端模塊(RF FEM)的尺寸在不同載體上運(yùn)行的解決方案之一。
 
我們利用TGV、LTCC、HRSi和玻璃分別設(shè)計了一種CA雙工器。設(shè)計中使用了100um直徑的和300um深度的TGV。與LTCC器件相比,TGV器件具有更小的尺寸和相似的性能,并且還可以使用更大的徑深比來進(jìn)一步改進(jìn)。
 
基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)
表3 雙工器性能比較
 
基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)
圖1 TGV雙工器性能示意圖
 
TGV工藝對性能的影響
 
為了獲得更好的IPD,我們不斷努力實(shí)現(xiàn)小而深的通孔金屬化、更緊密的通孔間距、更低的玻璃基板介電常數(shù)及層狀2D模式的兼容性,從而進(jìn)一步改善TGV。我們設(shè)計了幾款采用不同的TGV徑深比的雙工器來比較高徑深比TGV的尺寸優(yōu)勢。
 
基于玻璃通孔的射頻集成無源器件技術(shù)
表4 不同TGV徑深比的雙工器
 
結(jié)論
 
本文對TGV、LTCC、HRSi、glass等多種IPD技術(shù)進(jìn)行了綜合研究。無論是電感還是雙工器的比較表明,TGV技術(shù)在射頻應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。除此之外,我們還研究了TGV工藝對性能的影響,并指出了今后TGV工藝發(fā)展的方向。
 
 
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