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能源電力

第二講照明用LED驅(qū)動電源設(shè)計基礎(chǔ)

LED 的排列方式及LED 光源的規(guī)范決定著基本的驅(qū)動器要求。LED 驅(qū)動器的主要功能就是在一定的工作條件范圍下限制流過LED 的電流，而無論輸入及輸出電壓如何變化。最常用的是采用變壓器來進(jìn)行電氣隔離。文中論述了LED 照明設(shè)計需要考慮的因素

2009-07-30

LED驅(qū)動

SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)

在電子產(chǎn)品制造中，靜電放電往往會損傷器件，甚至使器件失效，造成嚴(yán)重?fù)p失，因此SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)非常重要。本刊分別邀請北京、上海的兩位專家撰文介紹與分析電子產(chǎn)品制造中的靜電產(chǎn)生源及靜電防護(hù)原理，較詳細(xì)地介紹了SMT生產(chǎn)中的一些靜電防護(hù)技術(shù)基礎(chǔ)與相應(yīng)措施。供大家參考

2009-07-30

ESD 靜電防護(hù) 靜電測量防靜電技術(shù)指標(biāo)

開關(guān)變壓器第十二講電源鐵芯的設(shè)計風(fēng)險

防止開關(guān)變壓器鐵芯出現(xiàn)磁飽和最簡單的另一種方法是采用反磁場，在變壓器鐵芯中安裝永久磁鐵，或在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流，并且此直流一般需要用扼流圈電感隔離，或用恒流源供電。由于在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流會降低開關(guān)電源的工作效率，以及增加成本，目前...

2009-07-29

電源鐵芯

得可正面導(dǎo)線改進(jìn)方案將在EU PVSEC展示

得可太陽能將利用今年的歐洲太陽能光伏展，展示標(biāo)準(zhǔn)印刷工藝如何開發(fā)以產(chǎn)生明顯的能效優(yōu)勢。9月21至25日在德國漢堡舉行的展會上，得可的資深工藝開發(fā)專家Tom Falcon將發(fā)表關(guān)于硅太陽能電池正面導(dǎo)線印刷面積比改進(jìn)的新論文。

2009-07-29

EU PVSEC 太陽能正面導(dǎo)線改進(jìn) 歐洲太陽能光伏展硅太陽能電池正面導(dǎo)線印刷面積比

MAX11080：Maxim電池保護(hù)器件為混合動力車和電動車節(jié)省80%的BMS成本

Maxim推出用于多節(jié)鋰離子(Li+)電池組的高壓、12通道電池保護(hù)IC MAX11080。該器件是市面上首個可級聯(lián)的故障監(jiān)測器，提供額外的電池監(jiān)測功能，防止Li+電池發(fā)生爆炸(過熱)?？蓪⒆疃?1個MAX11080菊鏈連接，以監(jiān)測多達(dá)372節(jié)電池。該功能可以防止發(fā)生電氣級聯(lián)故障，并省去了分立方案所需的昂貴的隔離器件...

2009-07-29

MAX11080 電路保護(hù) 混合動力車電動車過壓保護(hù)

STBP120:意法半導(dǎo)體一體式保護(hù)器件

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款新的手機(jī)和移動設(shè)備充電器保護(hù)IC，新產(chǎn)品可降低消費者購買新設(shè)備后丟棄的大量的廢棄充電器對環(huán)境的影響。

2009-07-29

STBP120 保護(hù)IC MOSFET 充電器接口

安防領(lǐng)域RFID技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀及趨勢

無線射頻識別技術(shù)RFID（Radio Frequency Identification）是自動識別技術(shù)的一種，它通過無線射頻方式進(jìn)行非接觸雙向數(shù)據(jù)通信對目標(biāo)加以識別。它無需直接接觸即可完成信息輸入和處理，且操作方便快捷，能夠廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、物流、安防、交通和資產(chǎn)管理等需要收集和處理數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域。

2009-07-29

RFID 安防無線射頻識別技術(shù) 醫(yī)療

提高開關(guān)電源待機(jī)效率的方法

隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對開關(guān)電源待機(jī)效率期望越來越高。目前大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入輕載和待機(jī)狀態(tài)時，電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。

2009-07-28

開關(guān)電源待機(jī)效率降頻可控脈沖模式

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在實際的開關(guān)中，存在大量的正向和開關(guān)損耗。因而設(shè)計中的熱阻對模塊性能來說是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。

2009-07-28

IGBT

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