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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術匯總
IGBT以及MOSFET器件柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關斷時需要一定的動態(tài)驅動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅動功率往往是不可忽視的。本文盤點了常用的幾種隔離驅動技術，供大家參考。
2013-08-15
IGBT 驅動 驅動器 隔離驅動
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四大步驟教你輕松選對MOSFET
作為電氣系統(tǒng)的基本部件，MOSFET的選擇是否正確經常對整個設計是否成功起著關鍵作用。針對特定設計，如何才能選擇正確的MOSFET？了解MOSFET的類型和重要性能特點似乎必不可少……跟著本文四大步驟走，MOSFET的選擇不再是難題！
2013-08-14
MOSFET MOSFET類型 MOSFET選擇 MOSFET性能
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福創(chuàng)西部論壇：供應和技術盛宴助力西部產業(yè)升級
2013年8月14日,西安－8月西安將迎來歐洲最富盛名的福創(chuàng)技術論壇(Fortronic)。為助力西部產業(yè)升級和加快中國創(chuàng)新設計的進程。福創(chuàng)西部論壇(Fortronic) 將于8月28日－8月30日西安高新區(qū)－西安志誠麗柏酒店舉辦三天的論壇包括中國電子分銷商領袖峰會，無線技術和智能手機設計工作坊，電力電子與電源管...
2013-08-13
福創(chuàng)西部論壇
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第二屆EPLAN 杯電氣工程設計大賽火熱進行中
自今年5月份第二屆EPLAN杯電氣工程設計大賽開賽以來，活動得到了廣大工程師們積極的響應與參與。尤其是在今年持續(xù)高溫的情況下，工程師們對于參加第 二屆EPLAN杯電氣設計大賽的熱情只增不減。截止8月份統(tǒng)計，本屆設計大賽報名人數突破了一千人，提交作品超過40篇。
2013-08-13
電氣工程
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隔離驅動IGBT功率器件設計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
IGBT 功率器件 IGBT保護
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IGBT電路保護新方法：將穩(wěn)壓管換為新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的設計模式——所需余量大系統(tǒng)大，但無法抵抗干擾和失效問題。如何突破傳統(tǒng)的保護方式，進行IGBT系統(tǒng)電路保護設計？本文對傳統(tǒng)IGBT失效防護進行改進，使用新方法進行IGBT失效防護和柵極過電壓、過電流防護。
2013-08-13
IGBT電路保護 IGBT IGBT電路防護
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2013首屆工業(yè)信息安全用戶高峰論壇在京成功舉辦
聚焦工控信息安全管理 促進工業(yè)行業(yè)健康持續(xù)發(fā)展2013首屆工業(yè)信息安全用戶高峰論壇今日在北京成功舉辦，會議以“加強信息安全管理 促進工業(yè)行業(yè)發(fā)展”為主題。在信息化和工業(yè)化深度融合趨勢下，加強工業(yè)控制系統(tǒng)信息安全顯得尤為重要。為推廣工業(yè)信息安全相關的知識、產品和技術，教育并完善工業(yè)控制系統(tǒng)信息安全市場，同時，為輔助政府部門制定工業(yè)...
2013-08-12
工業(yè)信息
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逆變器DIY：MOS場效應管+電源變壓器
電子愛好者在業(yè)余制作中采用此逆變器再合適不過了：主要由MOS 場效應管和普通電源變壓器構成，輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制。還有工作原理及制作要點提示哦！
2013-08-12
逆變器 逆變器DIY 逆變器制作
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推薦：600W正弦波逆變器制作全流程，附完整PCB資料
在公布了1KW正弦波逆變器的制作過程后，作者收到很多逆變器初學者的問題，于是又制作了600W的正弦波逆變器并記錄了全過程。已經給出了PCB版圖，如果元器件沒有問題，如果對逆變器有一定的基礎，那么一定能制作成功，而且對逆變器的認識更上一層樓！包括電路原理、主要部件的制作和采購、安裝與調試...
2013-08-12
逆變器 正弦波逆變器 逆變器制作
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