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泰國(guó)受災(zāi)電子元件廠(chǎng)商預(yù)計(jì)11月起恢復(fù)生產(chǎn)
據(jù)悉，泰國(guó)中部省份的洪災(zāi)形勢(shì)已經(jīng)出現(xiàn)緩和，泰國(guó)多家受洪災(zāi)影響的電子元件廠(chǎng)商預(yù)計(jì)將于11月底開(kāi)始恢復(fù)生產(chǎn)。
2011-11-03
電子元件 電子元器件 電子
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9月份全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額環(huán)比增長(zhǎng)2.7%
全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前表示，盡管全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)存在不確定性，今年9月份全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額仍相比8月份增長(zhǎng)了2.7%，達(dá)到了257.6億美元，但相比上年同期下跌1.7%。
2011-11-02
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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Bourns 重視中國(guó)市場(chǎng)，提供與時(shí)具進(jìn)的保護(hù)方案
美國(guó)Bourns是一間無(wú)源元件的綜合性技術(shù)公司，從1947年創(chuàng)辦以來(lái)一直在高精密與可靠性方面的技術(shù)上耕耘，為領(lǐng)先業(yè)界的電路保護(hù)解決方案制造商。此次參加第78屆中國(guó)電子展，將全面展示他們的高質(zhì)量產(chǎn)品和廣泛的行業(yè)應(yīng)用。在展會(huì)之前，電子元件技術(shù)網(wǎng)/我愛(ài)方案網(wǎng)記者有幸采訪(fǎng)到Bourns，與我們一同抓住20...
2011-10-31
Bourns 保護(hù)方案
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電容的選用注意事項(xiàng)及失效機(jī)理
本文介紹電容的使用注意事項(xiàng)、失效機(jī)理及解決方案，主要內(nèi)容包括：電容的選用注意事項(xiàng)，電容的安裝注意事項(xiàng)，電容的低電壓失效機(jī)理及電容引腳斷裂失效的機(jī)理和解決方法等。
2011-10-31
電容 電容器
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鐵氧體磁珠的基本原理及應(yīng)用
本文介紹片式鐵氧體磁珠的基本原理和應(yīng)用，內(nèi)容包括：片式鐵氧體磁珠的工作原理，鐵氧體抑制元件的阻抗和插入損耗，鐵氧體磁珠的類(lèi)別，鐵氧體磁珠的應(yīng)用。
2011-10-31
電磁干擾 鐵氧體磁珠 磁珠 EMI EMC 電磁兼容
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鉭電容在便攜式電池供電醫(yī)療設(shè)備使用的考量因素
本文討論了便攜式醫(yī)療設(shè)備的各種應(yīng)用及其使用的電路。選擇適用于這些便攜式應(yīng)用的電容時(shí)，優(yōu)先考慮的電氣參數(shù)是電容的DCL和ESR。本文重點(diǎn)介紹了電容技術(shù)的一般性選擇標(biāo)準(zhǔn)和可以在便攜式醫(yī)療設(shè)備中使用的封裝技術(shù)的進(jìn)展情況。
2011-10-27
鉭電容 便攜式電池 醫(yī)療設(shè)備 電池
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醫(yī)療設(shè)備開(kāi)關(guān)電源維修技術(shù)研究
隨著醫(yī)學(xué)電子技術(shù)的高度發(fā)展，醫(yī)療設(shè)備的種類(lèi)也越來(lái)越多，醫(yī)療設(shè)備與現(xiàn)代醫(yī)療診斷、治療關(guān)系日益密切，任何醫(yī)療設(shè)備都離不開(kāi)安全穩(wěn)定的電源，且大部分為開(kāi)關(guān)電源。在日常診斷與治療過(guò)程中往往會(huì)遇到設(shè)備因電源故障而無(wú)法使用，此時(shí)就需要醫(yī)療服務(wù)機(jī)構(gòu)的臨床醫(yī)學(xué)工程師結(jié)合自身經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)知識(shí)為臨床...
2011-10-27
醫(yī)療設(shè)備 開(kāi)關(guān) 電源 PWM
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全球半導(dǎo)體景氣繼續(xù)下降
2011年，全球經(jīng)濟(jì)受到歐債危機(jī)的影響，電子產(chǎn)品需求持續(xù)低迷，電子行業(yè)景氣度持續(xù)走低。在疲弱需求下，中低端產(chǎn)品將成為圣誕節(jié)消費(fèi)的主體，給中國(guó)終端企業(yè)，以及零組件企業(yè)帶來(lái)很好的提升市場(chǎng)份額和開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)客戶(hù)的機(jī)會(huì)。2012年一季度或可成為行業(yè)景氣度變化的時(shí)間窗口。
2011-10-25
電子 半導(dǎo)體 電子產(chǎn)品 零組件
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MOSFET柵漏電流噪聲分析
柵漏電流大的MOS器件噪聲特性的研究仍是現(xiàn)今研究中活躍的課題。尤其當(dāng)MOS-FET縮減至直接隧穿尺度(<3 nm)時(shí)，柵漏電流噪聲模型顯得尤為重要，并可為MOSFET可靠性表征和器件設(shè)計(jì)提供依據(jù)。文中基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對(duì)各種模型的...
2011-10-24
MOSFET 柵漏電流 噪聲
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