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干貨

“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”。小信號(hào)MOSFET主要用于模擬電路的信號(hào)放大和阻抗變換，但也可應(yīng)用于開(kāi)關(guān)或斬波。功率MOSFET除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線(xiàn)性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。

功率MOSFET線(xiàn)性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)

功率MOSFET工作在線(xiàn)性區(qū)用來(lái)限制電流，VGS電壓低，通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過(guò)熱導(dǎo)致其流過(guò)更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點(diǎn)導(dǎo)致器件損壞，這樣就形成一個(gè)熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。詳細(xì)閱讀>>

功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)詳解

以下將詳細(xì)介紹功率MOSFET最基礎(chǔ)的知識(shí)，包括：什么是MOSFET，MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、基本特性、幾個(gè)常用參數(shù)、選型原則等，保證大家看完就懂！詳細(xì)閱讀>>

穩(wěn)健的汽車(chē)40V功率MOSFET提高汽車(chē)安全性

意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車(chē)AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。詳細(xì)閱讀>>

功率MOSFET熱插撥浪涌電流限制方法

通信設(shè)備和服務(wù)器中，在插入和拔出電路板和板卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，系統(tǒng)必須能夠保持正常工作。當(dāng)后級(jí)的電路板和板卡接入前級(jí)電源系統(tǒng)時(shí)，由于后級(jí)電路輸入端帶有大的濾波電容，那么，在上電的瞬間電容相當(dāng)于短路，大的電容充電電流和負(fù)載電流一起作用，產(chǎn)生大的浪涌電流，同時(shí)大的浪涌電流導(dǎo)致高的電流和電壓變化率，對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生一系列的安全問(wèn)題。詳細(xì)閱讀>>

典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求，計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配之后，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。詳細(xì)閱讀>>

應(yīng)用于線(xiàn)性區(qū)功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開(kāi)控制方法

以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開(kāi)單獨(dú)控制方法，不僅適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)，還廣泛用于電機(jī)控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)電路。詳細(xì)閱讀>>

經(jīng)典案例

簡(jiǎn)析功率MOSFET的熱阻特性

功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命，數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來(lái)評(píng)估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來(lái)說(shuō)明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)熱阻的測(cè)量方法，以及它們的限制條件。詳細(xì)閱讀>>

功率MOSFET線(xiàn)性區(qū)工作設(shè)計(jì)

功率MOSFET有三個(gè)工作狀態(tài)，在漏極導(dǎo)通特性曲線(xiàn)上，對(duì)應(yīng)的是三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)，線(xiàn)性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線(xiàn)性區(qū)有時(shí)也稱(chēng)為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。詳細(xì)閱讀>>

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

使用功率MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。詳細(xì)閱讀>>

近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)（軟、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、掃描器等）、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。